一、分回路中有电阻时电感耦合电路的量子涨落（论文文献综述）
刘武新[1]（2021）在《基于超导量子比特的三体相互作用合成研究》文中提出量子模拟是一种求解复杂量子系统中的多体问题的有效手段,它的实现方式通常可以分为基于门电路分解的数字量子模拟和模仿真实量子系统的哈密顿量的类比量子模拟。由于容错率更高,类比量子模拟在近期更有可能实现有价值的应用。然而,类比量子模拟需要在可控量子实验系统上构造类似真实系统的哈密顿量,因此可控量子实验系统上能够实现的哈密顿量类型限制了类比量子模拟的应用范围。得益于电路的灵活性和可扩展性,基于超导电路的量子比特一直是用于量子模拟的热门平台。本论文的前半部分主要介绍构建基于超导量子比特的量子模拟平台的基础工作,包含量子比特的芯片设计及其测控系统。在多超导量子比特的芯片上,量子比特间的直接相互作用只能是来源于芯片上电路的电感或电容相互作用,这些作用方式得到的哈密顿量只包含两体的相互作用。真实量子系统中存在的三体或多体相互作用,虽然也很常见,但是在实验上却比较难合成。基于以上问题,本论文的后半部分介绍了两种在超导量子比特的平台上合成三体相互作用的实验方案。其中一种方案基于Floquet驱动。在本来两两之间存在相互作用的三量子比特的系统上,通过周期性的调制三个比特的频率,两比特间的相互作用被等效的抵消,只剩下三比特的自旋手征相互作用。实验上观察到了自旋手征作用下的标志性特征,激发态在三个比特之间依次传递。另外一种方案基于双光子诱导的量子跃迁现象。一个具有阶梯式能级结构的超导量子比特被当作光源,当它从第三个能级上跃迁到基态时,会发出一个时频纠缠的光子对,这个光子对可以同时激发两个相互之间没有耦合的量子比特。这个过程会产生作为光源的量子比特和无耦合的量子比特之间的三体相互作用,在这种相互作用的帮助下,可以一步生成三个量子比特间的Greenberger-Horne-Zeilinger（GHZ）态,实验上得到的态保真度高达95%。这两种生成三体相互作用的方案扩展了实验上能够实现的多比特相互作用的类型,有可能在量子模拟中发挥关键作用。
张贞兴[2]（2018）在《超导量子比特与绝热捷径中几何相位及功的研究》文中研究指明超导量子计算是最有希望实现量子计算机的方案之一。近些年来,在理论以及实验方面,超导量子器件发展迅速。目前超导量子计算正在向更高质量、更多比特数目的方向发展。本人自博士入学以来,开始学习超导量子比特的理论以及实验技术,并搭建了超导量子比特的实验软硬件平台。在博士期间,本人主要研究超导相位量子和transmon型量子比特的实验测控以及芯片设计。由于良好的相干性能,transmon型量子比特得到了广泛的使用。本文主要包括了以下内容:1.简要介绍了量子计算的发展历史以及量子算法。对于量子计算中的基本概念以及实现量子计算的物理平台进行简单介绍。着重介绍了超导量子计算的发展历史、国内外发展水平以及今后的发展方向与趋势。2.介绍了超导量子计算的基本理论,简单说明了电路量子化的过程。介绍了 circuitQED的基本理论,尤其是处于色散区域时的行为。针对transmon型量子比特,分析了其能级结构、驱动方法、读取方式与耦合形式。特别地,我们分析了 transmon的量子相干性与电路参数、结构的关系。最后简要说明了超导量子计算的基本芯片设计。3.从低温硬件、常温硬件与计算机软件三个方面对超导量子计算实验平台进行说明。低温硬件方面,包括了稀释制冷机的原理介绍以及低温线路的配置。结合影响transmon相干性的因素以及调控读取方法,我们对低温线路进行详细分析,并给出实际的线路配置。基于transmon的调控需求以及技术手段,我们搭建了常温硬件设备。在软件层面,我们基于LabRAD系统,构建了可扩展的量子比特调控软件平台。4.介绍了 xmon型量子比特的基本参数标定以及调控方法。这些参数包括了读取腔的频率、Q值,比特的频率,相干性参数,以及量子比特与谐振腔耦合的基本参数等。同时介绍了对量子比特进行精确校准的原理与方法。5.在超导相位量子比特中,利用绝热捷径的方法对贝里相位进行测量,同时通过量子层析测量验证了量子态在绝热捷径方案中的演化轨迹。同时,我们在实验和理论上说明了贝里相位在两个方向的噪声下的行为以及其抗噪能力。6.以xmon型超导量子比特为实验平台,针对绝热捷径的量子功的统计行为进行测量与研究。实验上验证了针对绝热捷径的量子功的理论结论:绝热捷径的平均量子功与对应的绝热情况相同,量子功的涨落与量子几何张量存在等式关系。本文的创新点有:1.基于超导量子比特的相干性分析以及调控需求,设计并搭建了超导量子比特的实验测控软硬件平台。2.以超导相位量子比特为实验平台,首次利用绝热捷径对贝里相位进行测量与研究,理论和实验上分析了贝里相位在噪声场中行为。3.在xmon中针对绝热捷径的量子功的统计行为进行测量与研究,并在实验上验证了这部分理论的理论结论。
张玉强,王雷[3]（2017）在《介观电路量子涨落影响因素探析》文中进行了进一步梳理介观物理已发展为凝聚态理论的一个重要分支,处于介观尺寸下的量子相干行为而产生的量子涨落现象是介观系统的重要特性之一。重点探析了典型的介观电路系统中量子涨落的影响参数,从而找出影响因素,最后阐述其发展趋势。
张玉强[4]（2015）在《介观耦合电路量子效应研究现状》文中提出在介观电路的基础上,详细了介观耦合电路量子效应研究与进展,并分析了耦合电路量子化的方法,分析了耗散对电路的影响,最后根据量子效应的研究趋势,对其应用和发展前景进行了预测。
侯汉强[5]（2015）在《介观电路量子化及量子效应》文中研究表明本论文主要对基本的介观电路系统以及包含有超导约瑟夫森结在内的介观电路系统的量子化及量子效应进行了研究。探寻基本介观电路系统及由电感或电容等电路基本元件耦合而成的电路体系的量子化方案,寻找体系物理量量子涨落的影响因素,进而对电路系统进行指导,来降低噪声及能耗,提高电路效能。主要内容如下所述:1.研究了介观无源LC电路体系的量子化与量子涨落。选取磁通量为广义坐标,借助于电路系统的拉格朗日函数,并利用狄拉克的正则量子化方法,给出了体系的哈密顿算符,求解体系在粒子数态下的量子涨落,并进行了分析。2.研究了介观时变源作用下的LC电路体系的量子化与量子涨落。选取磁通量为广义坐标,借助于电路系统的拉格朗日函数,并利用狄拉克的正则量子化方法,给出了体系的哈密顿算符,对体系的初态进行假设,并求解了体系在相干态下的量子涨落,并进行了分析。3.研究了介观无源电容耦合LC电路的量子化及量子涨落。利用狄拉克的正则量子化方法,给出了体系的哈密顿算符,并利用一幺正变换算符将其对角化进而求解其物理量的量子涨落并进行了分析。4.给出了含源介观电容耦合LC电路的能级跃迁的选择定则。利用狄拉克的正则量子化方法,给出了体系的哈密顿算符,然后利用不变本征算符方法计算了体系在外场作用下的能级跃迁的选择定则。5.研究了介观无源电感耦合LC电路的量子化及量子涨落。利用狄拉克的正则量子化方法,给出了体系的哈密顿算符,考虑到两侧LC回路的能量较低,从而使用双态近似,以两粒子数态的直积态为基矢,给出哈密顿的矩阵形式,进而求解其本征值与本征态,然后给出各个状态对应的量子涨落。6.给出了J-C模型在包含约瑟夫森结介观电路中的应用。求解了含约瑟夫森节的介观电路模型的哈密顿量,量子化后作双态近似,结合J-C模型将体系哈密顿展开为矩阵形式,最后给出了哈密顿的能级形式和本征矢。并且研究了体系在共振情况下相互作用对无耦合时能级简并的影响。
曲建涛[6]（2012）在《用广义线性量子变换理论研究介观有源RLC电路的量子特性》文中研究表明目前，集成电路电子元件已经接近原子量级、进入介观尺度，需要考虑电路与器件中的量子力学效应。自Louisell通过与经典谐振子的量子化方法对比而完成介观LC电路的量子化[1]起，人们用量子力学方法研究了不同情况下的介观电路的量子效应并取得了大量进展[2-34]，但离建立介观电路的普遍理论还有一定距离。本文将利用广义线性量子变换理论对有源介观电路进行研究，该方法具有简单方便和普遍适用的特点。本文研究了有源介观RLC电路和交变电源作用下的介观电感耦合电路两个具体的介观电路系统；对前者，类比彭桓武的方法[35]通过正则化变换将系统量子化，求解得到电流与元件两端电压的期望值与量子涨落，讨论了电阻作用导致量子噪声趋近于零的特性；对后者，利用广义线性量子变换理论将系统去耦合，进而计算了电荷与电流的期望值和量子涨落。广义线性量子变换理论可应用于耗散电路和耦合电路且对电源与初始态无要求，有希望扩展到一般有源介观RLC电路而成为普遍适用的理论，值得人们深入研究。所得理论结果对介观电路系统的应用提供了一定的参考价值，对于设计微小电路、压低量子噪声影响具有一定的现实指导意义。
蔡绍洪,康金平,张玉强[7]（2011）在《激发相干态下介观电感耦合电路的量子效应》文中研究说明从无耗散介观电感耦合电路的经典运动方程出发,运用线性变换的方法对电路进行量子化,在此基础上计算了激发相干态下电路中电荷、电流的量子涨落。结果表明,在未接电源时各回路电荷、电流的平均值和方均值均不为零,存在量子涨落,涨落大小不仅取决于回路自身的参数,还与另一回路参数以及耦合电感参数有关,即两回路的量子噪声是相互关联的,而且它们还明显地依赖于电路所处的状态参数,即粒子数态参数和相干态参数。
崔元顺,周淮玲[8]（2007）在《电荷离散化时介观LC电路中电荷、电流以及能量的量子涨落》文中指出基于电荷量子化的事实,运用最小平移算符的性质等,计算介观LC电路中电荷、电流以及能量的量子涨落,研究影响量子涨落的因素.结果表明,计及电荷具有不连续性的事实,在Fock态下介观LC电路中电流与能量的量子涨落不为零,分别与电荷量子、Planck常数等有关,大小决定于电路参数.
梁麦林,刘丽彦,孙宇晶[9]（2007）在《含时阻尼电感耦合电路的量子化和量子涨落》文中指出对于电容和电感含时的阻尼电感耦合电路,在考虑电子和声子相互作用的情况下,实现了体系的量子化,并研究了其中的量子涨落.在所研究的电感耦合电路中,分回路和耦合部分都有电阻存在.当电容和电感不随时间变化时,物理量的演化首先经历一个振荡衰减的过程,然后达到一个稳定的状态.电路到达稳态后,若两个分回路中的电容和电感相同,并且电阻趋于0,则量子涨落回到无阻尼电路的结果.
宋海军[10]（2007）在《纳米含源量子电路中电荷和电流的量子涨落特性研究》文中进行了进一步梳理随着微电子技术、纳米技术和纳米电子学的发展,电路和电子器件日趋小型化。当电路系统的传输尺度达到电子输运的相位相干长度时,电路系统本身的量子效应就会出现,如库仑阻塞效应、电导涨落、电流的量子涨落等。其中纳米电路中电流的量子涨落已成为量子光学领域的一个热点问题。本文基于电荷是量子化的基本事实,研究了如何利用全量子理论来处理纳米含源电路中电流的量子涨落问题。即首先从纳米电路的经典运动方程出发,根据正则量子化方法,得出纳米电路系统的薛定谔方程,并将其化为标准的马丢方程,最后计算系统的能谱和电流的量子涨落。根据电路是否有耗散,可将其分为有耗散电路和非耗散电路,对于有耗散电路,本文讨论了双网孔纳米含源耗散耦合电路和双网孔纳米含源耗散无耦合电路,分别计算了各电路系统所对应的能谱和各电路系统中电流的量子涨落;对于非耗散电路,本文利用二次型理论,并结合电荷是离散化的全量子理论,总结出了求解任意网孔纳米含源非耗散耦合电路中电流的量子涨落的一般性方法。
二、分回路中有电阻时电感耦合电路的量子涨落（论文开题报告）
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
本文主要提出一款精简64位RISC处理器存储管理单元结构并详细分析其设计过程。在该MMU结构中,TLB采用叁个分离的TLB,TLB采用基于内容查找的相联存储器并行查找,支持粗粒度为64KB和细粒度为4KB两种页面大小,采用多级分层页表结构映射地址空间,并详细论述了四级页表转换过程,TLB结构组织等。该MMU结构将作为该处理器存储系统实现的一个重要组成部分。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
三、分回路中有电阻时电感耦合电路的量子涨落（论文提纲范文）
（1）基于超导量子比特的三体相互作用合成研究（论文提纲范文）
| 致谢 |
| 摘要 |
| Abstract |
| 1 绪论 |
| 1.1 量子计算 |
| 1.2 量子模拟 |
| 1.3 量子比特 |
| 1.4 超导量子比特 |
| 1.4.1 约瑟夫森结 |
| 1.4.2 LC并联谐振电路 |
| 1.4.3 超导量子比特的电路 |
| 1.5 论文内容概览 |
| 2 超导量子比特的芯片设计 |
| 2.1 芯片设计基础 |
| 2.1.1 衬底与层叠结构 |
| 2.1.2 微波传输线 |
| 2.1.3 传输线谐振腔 |
| 2.2 量子比特的电路参数和非线性 |
| 2.3 量子比特的控制 |
| 2.3.1 量子比特的状态控制 |
| 2.3.2 量子比特的频率控制 |
| 2.4 量子比特的读取 |
| 2.4.1 色散读取 |
| 2.4.2 谐振腔和传输线的耦合 |
| 2.5 量子比特之间的相互作用 |
| 2.5.1 电容耦合与电感耦合 |
| 2.5.2 可调耦合 |
| 2.6 量子芯片的版图设计 |
| 2.7 本章小结 |
| 3 超导量子比特的测控平台 |
| 3.1 低温系统 |
| 3.1.1 稀释制冷机 |
| 3.1.2 线路滤波 |
| 3.1.3 样品封装 |
| 3.2 测控设备 |
| 3.2.1 DAC和ADC |
| 3.2.2 IQ混频 |
| 3.2.3 波形响应矫正 |
| 3.2.4 IQ混频器矫正 |
| 3.2.5 同步操控 |
| 3.3 软件系统 |
| 3.4 本章小结 |
| 4 手征三体相互作用的合成 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 量子芯片参数 |
| 4.3 调制等效耦合强度 |
| 4.4 三比特自旋手征相互作用 |
| 4.4.1 理论 |
| 4.4.2 实验 |
| 4.4.3 讨论 |
| 4.5 总结 |
| 5 关联光子对同步激发无耦合原子对 |
| 5.1 研究背景 |
| 5.2 实验原理 |
| 5.3 实验基础 |
| 5.3.1 量子芯片参数 |
| 5.3.2 量子态层析 |
| 5.3.3 RB标定门保真度 |
| 5.4 实验结果 |
| 5.4.1 同步激发两个原子并生成GHZ态 |
| 5.4.2 连续测量抑制同步激发过程 |
| 5.5 总结 |
| 6 总结与展望 |
| 6.1 总结 |
| 6.2 展望 |
| 参考文献 |
| 作者简历 |
（2）超导量子比特与绝热捷径中几何相位及功的研究（论文提纲范文）
| 致谢 |
| 摘要 |
| Abstract |
| 缩写、符号清单、术语表 |
| 1 绪论 |
| 1.1 量子信息的基本概念 |
| 1.1.1 量子比特 |
| 1.1.2 量子门 |
| 1.1.3 量子测量 |
| 1.1.4 退相干 |
| 1.2 量子计算的物理实现 |
| 1.2.1 超导量子计算的发展以及现状 |
| 总结 |
| 2 超导量子计算简介 |
| 2.1 LC振荡电路 |
| 2.2 基于约瑟夫森结的超导量子比特 |
| 2.3 超导量子比特的类型 |
| 2.4 CPB,Transmon的计算分析 |
| 2.4.1 电荷量子比特的分析 |
| 2.4.2 Transmon的分析 |
| 2.5 单比特的调控 |
| 2.6 量子比特的耦合 |
| 2.7 腔(电路)量子电动力学 |
| 2.8 量子比特的读取 |
| 2.9 Transmon的退相干 |
| 2.9.1 Transmon能量弛豫,T_1 |
| 2.9.2 Transmon的相位弛豫,T_2 |
| 2.10 Transmon芯片设计与结构 |
| 总结 |
| 3 实验测控系统 |
| 3.1 稀释制冷机简介 |
| 3.2 样品芯片封装 |
| 3.3 低温线路配置 |
| 3.4 读取线路系统Readout Chain |
| 3.5 室温设备 |
| 3.5.1 低频的直流控制 |
| 3.5.2 高频的直流控制 |
| 3.5.3 高频的驱动系统 |
| 3.5.4 读取线路系统 |
| 3.5.5 其余商业设备 |
| 3.5.6 IQ混频器的校准 |
| 3.6 软件控制系统 |
| 3.6.1 LabRAD系统部署 |
| 3.6.2 实验测量软件 |
| 总结 |
| 4 超导量子比特的基本参数测量 |
| 4.1 谐振腔的测量标定 |
| 4.2 量子比特频谱测量(Qubit Spectroscopy) |
| 4.3 拉比振荡(Rabi Oscillation) |
| 4.4 读取参数校准 |
| 4.5 相干性测量 |
| 4.6 量子比特频率调制 |
| 4.7 比特调控的精细调节 |
| 4.7.1 DRAG波形修正 |
| 4.7.2 XYZ时间校准 |
| 4.7.3 Z pulse滤波修正 |
| 4.8 比特与谐振腔参数的标定 |
| 4.9 比特操作的随机基准测试 |
| 总结 |
| 5 几何相位的测量与研究 |
| 5.1 超导相位量子比特 |
| 5.2 Berry Phase |
| 5.3 绝热捷径 |
| 5.4 Berry Phase的测量 |
| 5.5 噪声对Berry Phase的影响 |
| 总结 |
| 6 绝热捷径过程中功的涨落与测量 |
| 6.1 理论设计 |
| 6.1.1 STA理论概括 |
| 6.1.2 STA功的统计行为 |
| 6.2 实验结果说明与分析 |
| 6.2.1 Frozen-Hamiltonian与Frozen-Population测量方案 |
| 6.2.2 STA功的平均值与涨落 |
| 6.2.3 STA功涨落与量子几何张量的关系 |
| 总结 |
| 7 总结与展望 |
| 参考文献 |
| 附录A 旋转坐标系下的哈密顿量 |
| 附录B 几何相位测量的补充说明 |
| B.1 SpinEcho过程中的Berry Phase累积 |
| B.2 STA过程中噪声对Berry Phase的影响 |
| 附录C STA功补充说明 |
| 个人简历和科研成果 |
| 发表文章目录 |
（3）介观电路量子涨落影响因素探析（论文提纲范文）
| 0 引言 |
| 1 影响参数分析 |
| 1.1 单网孔电路 |
| 1.2 耦合电路 |
| 2 发展趋势 |
（4）介观耦合电路量子效应研究现状（论文提纲范文）
| 1 概述 |
| 2 量子化的基本方法 |
| 2.1 正则变换 |
| 2.2 幺正变换 |
| 3 耗散对耦合电路的影响 |
| 3.1 无耗散介观耦合电路中的量子效应 |
| 3.2 耗散介观耦合电路中的量子效应 |
| 4 介观耦合电路研究趋势 |
| 4.1 介观尺度工具电极对加工过程的影响 |
| 4.2 电路中的量子点耦合 |
| 4.3 研究范围不断拓展 |
| 4.4 量子态的控制 |
（5）介观电路量子化及量子效应（论文提纲范文）
| 摘要 |
| abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 引言 |
| 1.2 国内外的研究现状和发展趋势 |
| 1.3 本文的主要工作 |
| 第二章 相关预备知识 |
| 2.1 量子化方法 |
| 2.2 约瑟夫森结的概念 |
| 2.3 不变本征算符法 |
| 第三章 无耦合介观电路体系量子化 |
| 3.1 介观无源LC电路的量子化与量子涨落 |
| 3.2 介观含源LC电路量子化及其量子涨落 |
| 第四章 耦合介观电路体系量子化 |
| 4.1 介观电容耦合LC电路量子化及量子涨落 |
| 4.2 能级跃迁的选择定则 |
| 4.3 介观电感耦合LC电路量子化及量子涨落 |
| 4.4 J-C模型在约瑟夫森结介观电路中的应用 |
| 第五章 总结 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 攻读硕士学位期间发表的学术论文 |
| 附件 |
（6）用广义线性量子变换理论研究介观有源RLC电路的量子特性（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 目录 |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 课题背景 |
| 1.2 国内外研究现状 |
| 1.3 本文的结构 |
| 第二章 广义线性量子变换理论简介 |
| 2.1 广义线性量子变换理论的基本假设 |
| 2.1.1 广义线性量子变换理论的唯一前提 |
| 2.1.2 辛条件的等价表示 |
| 2.2 演化算符 U 为幺正变换的条件 |
| 2.3 线性变换算符的表达式 |
| 2.3.1 普通指数形式的表达式 |
| 2.3.2 正规乘积与反正规乘积形式的表达式 |
| 2.3.3 相空间的矩阵元 |
| 2.4 广义线性量子变换算符 U 的性质 |
| 2.4.1 演化算子 U 表达式的唯一性 |
| 2.4.2 广义线性量子变换的乘法性质 |
| 第三章 利用广义线性量子变换理论求解介观电路问题的应用 |
| 3.1 演化算符 |
| 3.2. 有源介观 RLC 电路的精确解及其量子噪声趋近于零的特性 |
| 3.2.1 有源介观 RLC 电路的演化算符 |
| 3.2.2 有源介观 RLC 电路的电流与电压的期望值 |
| 3.2.3 有源介观 RLC 电路的电流与电压的量子涨落 |
| R~2/4L'>3.2.3.1 欠阻尼情况1/C>R~2/4L |
| R~2/4L'>3.2.3.2 临界阻尼情况1/C>R~2/4L |
| R~2/4L'>3.2.3.3 过阻尼情况1/C>R~2/4L |
| 3.2.3.4 无电容情况 |
| 3.2.3.5 无电阻情况 |
| 3.2.4 结果分析 |
| 3.3 交变电源作用下介观电感耦合电路 |
| 3.3.1 交变电源作用下介观电感耦合电路的演化算符 |
| 3.3.2 交变电源作用下介观电感耦合电路的电荷与电流的期望值 |
| 3.3.3 交变电源作用下介观电感耦合电路的电荷与电流的量子涨落 |
| 3.3.4 结果分析 |
| 第四章 总结与展望 |
| 4.1 总结 |
| 4.2 展望 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 攻读硕士学位期间取得的科研成果 |
（7）激发相干态下介观电感耦合电路的量子效应（论文提纲范文）
| 1 引言 |
| 2 电感耦合电路的量子化 |
| 3 激发相干态下该耦合电路的量子涨落 |
| 4 结果讨论 |
（10）纳米含源量子电路中电荷和电流的量子涨落特性研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 引言 |
| 1.2 纳米电路中量子涨落研究的发展情况 |
| 1.3 本文所做的主要工作 |
| 第二章 基础知识 |
| 2.1 介观体系的量子效应 |
| 2.1.1 相位干涉现象 |
| 2.1.2 库仑阻塞现象 |
| 2.1.3 普适电导涨落 |
| 2.2 纳米电子学、纳米电子技术和纳米光电子学的发展及现状 |
| 2.2.1 纳米电子学 |
| 2.2.2 纳米电子技术 |
| 2.2.3 纳米光电子学 |
| 第三章 介观LC、RLC电路的量子效应 |
| 3.1 介观LC电路的量子涨落 |
| 3.2 介观RLC电路的量子涨落 |
| 第四章 纳米含源有耗散无耦合电路中电流的量子涨落 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 系统的Hamilton量 |
| 4.3 库仑阻塞效应 |
| 4.4 系统的能级和量子涨落 |
| 4.5 总结 |
| 第五章 纳米有耗散电感耦合电路中电流的量子涨落 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 纳米有耗散电感耦合电路Hamiton量的量子化 |
| 5.3 电路的能级和电路中电流的量子涨落 |
| 5.4 结论 |
| 第六章 纳米含源非耗散耦合电路中电流的量子涨落 |
| 6.1 纳米含源非耗散耦合电路的哈密顿量 |
| 6.1.1 双网孔非耗散耦合电路分析 |
| 6.1.2 三网孔非耗散耦合电路分析 |
| 6.1.3 任意网孔非耗散耦合电路分析 |
| 6.2 n个网孔耦合电路的量子化 |
| 6.3 n个网孔纳米含源非耗散耦合电路中电流的量子涨落 |
| 6.4 总结 |
| 第七章 总结与期望 |
| 7.1 总结 |
| 7.2 展望 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
| 研究成果 |
| 硕士在读期间参加科研项目情况 |
四、分回路中有电阻时电感耦合电路的量子涨落（论文参考文献）
- [1]基于超导量子比特的三体相互作用合成研究[D]. 刘武新. 浙江大学, 2021(01)
- [2]超导量子比特与绝热捷径中几何相位及功的研究[D]. 张贞兴. 浙江大学, 2018(03)
- [3]介观电路量子涨落影响因素探析[J]. 张玉强,王雷. 江西科学, 2017(06)
- [4]介观耦合电路量子效应研究现状[J]. 张玉强. 甘肃科技, 2015(11)
- [5]介观电路量子化及量子效应[D]. 侯汉强. 聊城大学, 2015(02)
- [6]用广义线性量子变换理论研究介观有源RLC电路的量子特性[D]. 曲建涛. 鲁东大学, 2012(10)
- [7]激发相干态下介观电感耦合电路的量子效应[J]. 蔡绍洪,康金平,张玉强. 量子电子学报, 2011(05)
- [8]电荷离散化时介观LC电路中电荷、电流以及能量的量子涨落[J]. 崔元顺,周淮玲. 四川师范大学学报(自然科学版), 2007(02)
- [9]含时阻尼电感耦合电路的量子化和量子涨落[J]. 梁麦林,刘丽彦,孙宇晶. 哈尔滨工业大学学报, 2007(01)
- [10]纳米含源量子电路中电荷和电流的量子涨落特性研究[D]. 宋海军. 西安电子科技大学, 2007(06)