一、2003年IEEE国际可靠性物理年会论文集论文摘要(1)（论文文献综述）
于鹏远[1]（2020）在《MOS结构总剂量辐射效应建模方法研究》文中研究说明MOS结构电子器件作为集成电路的关键元素,电离辐射会在其绝缘体氧化层中引起明显的电荷积累。研究表明,在氧化层中俘获空穴形成的氧化层陷阱电荷Not和在Si-Si O2界面处形成界面态陷阱电荷Nit是辐射诱导产生的最主要的两类电荷。这两种陷阱电荷是引起器件电学特性变化,导致器件性能衰退或故障的辐照损伤机制。由于器件尺寸不断缩小,抗辐照加固技术需要更精确辐射效应模型。并且随着“探月探火”任务的增多,研究辐照温度对MOS器件电离辐射的影响也受到了关注。本文目标是研究MOS结构器件总剂量辐照损伤机制,建立一套能用来分析器件在不同剂量、不同温度下比以往研究更精确的辐照损伤数值模型。在数值模型建立过程中主要考虑辐照剂量、辐照温度这两个物理参数与两类陷阱电荷生成的关系。最后将本文提出的总剂量辐射模型与相关文献的实验数据和本文的实验数据进行了很好的拟合。全文的研究可以概括为以下四个部分:（1）结合以往MOS器件总剂量辐射效应物理机制的研究,阐述了氧化层陷阱电荷与界面态陷阱电荷的生成机理,并具体分析了辐照温度对总剂量辐射各个物理过程以及两类陷阱电荷生成与退火的影响。（2）建立总剂量辐射氧化层改进模型。研究发现,总剂量辐射氧化层一般模型与多篇实验文献数据拟合误差较大,这是由于随着辐照温度的增加,氧化层陷阱电荷的热激发退火效应越来越明显,而隧穿退火效应影响空穴在氧化层中被俘获区域的大小,二者都会影响氧化层陷阱电荷的生成。最终,本文对氧化层一般模型进行了改进,考虑了隧穿退火与热激发退火效应,得到改进的氧化层模型。验证结果表明改进的氧化层模型的拟合精度显着提高。（3）建立界面态陷阱电荷在辐照温度影响下的Weibull概率分布模型。研究发现,在不同辐照温度影响下,界面态陷阱电荷的变化曲线与概率分布模型中Weibull分布类似。本文将辐照温度的Weibull概率密度函数,与现阶段最受认可的氢质子“两阶段模型”结合,建立了在不同辐照温度影响下,界面态陷阱电荷的Weibull概率分布模型。之后基于K-S（Kolmogorov-Smirnov）统计量检验方法,在Matlab中构造K-S检验的置信带,较直观的观测到界面态陷阱电荷在不同辐照温度影响下服从Weibull分布的准确性。（4）设计总剂量辐射实验对本文总剂量辐射模型进行验证。根据氧化层改进模型与界面态Weibull概率分布模型得到阈值电压漂移总剂量辐射模型,并与多篇参考文献实验数据进行拟合,拟合结果良好。最后设计本文的总剂量辐射实验,实验在中国科学院新疆物理与化学技术研究所进行,得到了实验器件在不同剂量点下的转移特性曲线,通过阈值电压提取方法的线性外推法得到相应的阈值电压漂移数据,与本文提出的总剂量辐射模型进行拟合,进一步验证本文提出的总剂量辐射模型的准确性。综上所述,本论文较深入地研究了MOS器件的总剂量辐射效应,进一步完善了总剂量辐射效应数值模型。在利用计算机软件模拟器件在辐照环境下的行为时,能够提升计算机仿真的精度,最终为集成电路的抗辐照加固技术的研究提供参考。
沈竞宇[2]（2019）在《深亚微米CMOS集成电路可靠性评价与设计技术研究》文中提出可靠性对几乎所有的集成电路产品来说都是一个重要的要求,尤其是在恶劣环境条件下,电子系统中芯片的可靠性必须达到更高的要求。因此集成电路厂商在设计和制造过程中对各种可靠性问题进行了重点的关注。随着工艺尺寸的不断缩小,互补金属氧化物半导体（Complementary Metal Oxide Semiconductor,CMOS）材料已经非常接近其本身的物理极限和可靠性极限。在深亚微米级和纳米级工艺节点,可靠性带来的挑战越来越受到人们的重视。基于以上背景,本文以深亚微米CMOS集成电路的可靠性评价和设计技术为研究课题,从CMOS集成电路的各种可靠性问题入手,重点研究了热载流子效应、经时击穿、负偏置温度不稳定性、电迁移和辐射效应的物理模型,失效机理和测试结构。深入分析了65nm CMOS工艺的热载流子效应,经时击穿效应,以及0.13μm工艺的铁电存储器的总剂量辐射效应。具体内容如下:对于工艺可靠性的问题,详细研究了热载流子效应、经时击穿、负偏置温度不稳定性、电迁移四种失效模式的物理模型,失效机理和测试结构。其中,对热载流子效应和经时击穿进行了深入研究。对65nm CMOS工艺的器件的热载流子效应进行了加速寿命试验和寿命预测;对比研究了热载流子对环形栅和条形栅NMOS器件的性能退化的影响;以及分析了冷载流子和热载流子对器件的性能影响的差别和相应的物理机理。同时,对65nm CMOS工艺的栅氧的经时击穿进行了加速寿命试验和寿命预测;对影响MOS器件经时击穿的各种因素进行了特性分析;以及研究了衬底热载流子对栅氧经时击穿的影响。对于器件的辐射效应问题,详细研究了铁电存储器的总剂量辐射效应。开展了全芯片60Coγ射线总剂量效应试验;另外,由于钴源不能单独对铁电阵列和外围各电路模块进行辐照,故开展了局部辐照试验研究,主要包括X射线微束试验和电子加速器铝膜屏蔽试验;深入分析了铁电存储器各电路模块的辐射敏感性和失效机理;对比研究了不同辐射源的差异性和应用特点。基于对深亚微米CMOS集成电路的各种可靠性问题的详细研究,开展了可靠性加固设计研究,包括抗总剂量加固设计研究,抗热载流子退化加固设计研究以及提高栅介质可靠性的方法研究。
王国涛[3]（2014）在《密封继电器微粒碰撞噪声检测的试验条件研究》文中研究指明密封继电器是用于完成信号传递、执行控制和系统配电等功能的电子元器件，其可靠性直接影响着航天电子系统的可靠性。密封继电器内部多余物是引起继电器失效的主要原因。因此，密封继电器出厂前必须通过多余物检测试验。微粒碰撞噪声检测（Particle Impact Noise Detection，PIND）试验是检测密封电子元器件内部多余物的主要手段。大量应用实践表明，现行PIND试验条件对吸附能力较强的多余物激活能力不足，易发生误判和漏判，急需改进。目前针对多余物激活过程、PIND极限试验条件及试验条件扩展方面的研究较少，PIND试验条件的改进没有理论依据，无法得到PIND最佳试验条件、无法发挥PIND最大检测能力。针对上述问题，本文建立试验条件研究平台，研究多余物激活影响因素和PIND极限试验条件，确定PIND最佳试验条件，提出新的用于密封继电器多余物检测的PIND试验方法，发挥PIND最大检测能力。首先，为研究PIND试验条件，本文建立试验条件研究平台。首次提出将随机振动应用于密封继电器PIND过程，设计并实现可输出正弦振动激励、随机振动激励和冲击激励的密封继电器多余物自动检测系统；提出将高速摄像技术用于观察多余物运动过程的方法，设计并实现多余物运动过程分析系统，实现PIND试验条件可视化研究。然后，为分析多余物激活影响因素，本文建立多余物激活过程仿真模型，提出密封继电器多余物激活过程的仿真分析方法，给出试验条件对多余物激活效果影响规律并通过实验证明了该规律的正确性；采用理论推导法和实验研究法，确定多余物无效激活频率；分析多余物微粒在密封继电器内部的静电吸附特性，给出减小静电吸附影响方案。其次，为分析PIND极限试验条件，本文研究试验条件对密封继电器的损伤机理，给出密封继电器PIND极限试验条件的评判标准；提出密封继电器PIND极限试验条件研究方法；确定密封继电器在不受损伤的前提下可承受的极限振动和冲击试验条件，并通过实验验证了PIND极限试验条件的正确性。最后，为分析PIND最佳试验条件，本文建立多余物激励过程的动力学模型，提出多余物激励过程仿真分析方法。采用实验研究法和仿真分析方法研究振动试验条件对多余物检测效果的影响与多余物及被试器件参数的关系；采用正交试验设计方法和极差分析法研究振动试验条件对多余物检测效果的影响规律。根据用途不同，给出4组PIND最佳振动试验条件，给出3组PIND最佳冲击试验条件；提出了能够发挥最大检测能力的用于密封继电器多余物检测的PIND试验方法。与GJB65B规定PIND方法的对比实验表明，新的方法有效地提高了多余物检测能力。
范雪[4]（2011）在《一种新型反熔丝存储器的研制及其抗辐射加固方法研究》文中提出随着我国航天事业的飞速发展,对抗辐射加固型集成电路的需求更加迫切,与此同时西方发达国家明确规定对抗辐射加固技术实行严格控制或禁运,于是抗辐射加固型集成电路的研制成为了我国“十一五”和“十二五”期间的一个重要研究方向。抗辐射反熔丝可编程只读存储器（Programmable Read-Only Memory,PROM）是一种高可靠非易失性存储器,常被用作航天电子系统中程序代码以及其他关键信息的存储。抗辐射反熔丝PROM存储器的研制在国内刚刚起步,反熔丝单元器件（以下简称“反熔丝器件”）本身的材料、结构、制作工艺、击穿特性、一致性、可靠性,反熔丝器件的制作工艺与标准互补金属氧化物半导体（Complementary Metal Oxide Semiconductor, CMOS）工艺的兼容性,反熔丝PROM存储器的辐射效应和抗辐射加固设计等都亟待大量研究。本论文基于上述背景,围绕抗辐射反熔丝PROM的研制从反熔丝器件、反熔丝PROM芯片（以下简称“反熔丝PROM”）、辐射效应和抗辐射加固技术等几个方面进行了深入研究,具体包括:1.提出了一种新型的与商用闪存（Flash）CMOS工艺兼容的反熔丝器件结构,并通过设计、流片,制备了这种结构的反熔丝器件。针对该新型的反熔丝器件,进行了击穿电压、击穿电流、击穿时间、击穿前后电阻值分布的研究,结果显示该反熔丝器件有着良好的击穿特性和击穿后电阻值分布特性。2.基于该新型的反熔丝器件设计并制备了8kbit的反熔丝PROM。通过对制备的新型反熔丝器件的特性分析,设计了反熔丝存储单元和阵列、地址译码电路、编程电路和读出电路等外围电路,并基于商用工艺线完成了反熔丝PROM的流片。对反熔丝PROM的功能测试表明该反熔丝PROM可以按位正确实现编程和读取。3.基于目前国内的地面模拟辐射实验环境,对CMOS集成电路总剂量效应和单粒子效应的测试环境和测试方法进行了研究,给出了完整的实验流程,并设计了辐射效应测试系统。对比研究了现场可编程门阵列（Field Programmable Gate Array, FPGA）在锎-252源和串列重离子加速器下的单粒子效应的区别,定量给出了锎-252源在现代集成电路的单粒子辐射效应测试中的局限性。4.通过分析反熔丝PROM的电路结构,得出反熔丝PROM的加固重点在于总剂量（Total Ionizing Dose, TID）效应和单粒子闩锁（Single Event Latchup,SEL）效应。于是本文针对封闭形栅的TID加固方法和保护环的SEL加固方法进行了研究。设计和流片制作了不同栅氧层厚度的环形栅和半环形栅的NMOS的晶体管,对环形栅和半环形栅的面积牺牲和晶体管的宽长比提取进行了研究,提出了一种简易的半环形栅宽长比提取方法。并对比研究了不同栅氧厚度的条形栅、环形栅和半环形栅的总剂量辐射效应。在商业CMOS工艺线上实现了保护环加固方法的流片,并对其面积牺牲和抗SEL性能进行了实验研究。相关研究为基于CMOS电路的抗辐射加固设计提供了实验数据,为制定加固方案和预估加固效果提供了重要依据。5.对研制的反熔丝PROM进行了抗辐射加固设计和辐射效应实验研究。通过对反熔丝器件和反熔丝PROM整体电路初步的总剂量和单粒子辐射效应实验研究,分析了反熔丝PROM各部分的抗辐射能力。实验结果显示,反熔丝器件有着良好的抗辐射能力。整个芯片中对TID辐射敏感的部分为使用高压器件的泵压电路和灵敏放大器。通过在外围CMOS电路中采用保护环的加固设计方式可以将发生SEL的线性能量转移（Linear Energy Transfer,LET）阈值从3752.3MeV·cm2/mg提高到74Mev·cm2/mg以上。6.对比研究了基于静态随机存取存储器（Static Random Access Memory, SRAM）的FPGA、Flash存储器和反熔丝PROM的辐射效应。对不同特征尺寸的CMOS工艺耐受TID和SEL的能力进行了实验研究。并对不同类型存储器的静态单粒子翻转（Single Event Upset,SEU）效应和总剂量功能失效特性进行了对比研究。实验结果显示了基于不同CMOS工艺节点的不同类型存储器的辐射效应存在着巨大差别,从而为航天电子系统中存储器的选型提供实验数据。
吴强[5]（2011）在《GaAs PHEMT器件失效机理及寿命评估研究》文中进行了进一步梳理GaAs PHEMT是单片微波集成电路（MMIC）的关键结构,其寿命和长期可靠性对微波毫米波频段的通信领域的应用至关重要。国内有关GaAs PHEMT器件可靠性的研究处于初级阶段,远远落后于国外研究水平,如何有效快速地进行GaAs PHEMT器件可靠性评估,是在通信应用中遇到的的一个问题。本文在GaAs PHEMT寿命实验方法和可靠性评估理论分析的基础上,采用了直流偏置下的高温加速寿命实验方法进行GaAs PHEMT器件可靠性评估。首先,通过高温恒定电流应力下GaAs PHEMT金属化结构的加速寿命实验,确定影响GaAs PHEMT器件可靠性的薄弱环节。对四种GaAs PHEMT器件的单机理金属化结构包括栅金属和电镀层的接触孔链结构（A1结构）、二次布线（A2结构）、一次布线（A3结构）和欧姆接触（A4结构）,进行了190℃、210℃和230℃三组寿命试验,以电阻为敏感参数,利用在线监测系统监测各金属化结构退化和寿命分布情况。分析寿命实验数据,利用Arrhenius模型计算得出各结构的激活能。结果表明,栅金属和电镀层的接触孔链结构（A1结构）激活能为0.522eV,相对于其它结构激活能较低,所以在寿命实验中更容易产生退化,是影响GaAs PHEMT器件可靠性的薄弱环节。其次,通过高温恒定电压应力下的GaAs PHEMT单管寿命实验,分析了退化前后器件电参数变化,得出器件在寿命实验中所发生的失效模式是饱和源漏电流退化、夹断电压退化和源漏电阻退化。饱和源漏电流退化和夹断电压退化是由肖特基退化所引起的。源漏电阻退化则是欧姆接触退化所导致的。分析单管寿命实验数据,利用Arrhenius模型计算出器件在正常工作条件下,即沟道温度为125℃时,GaAs PHEMT器件激活能为1.78eV,器件的中位寿命大于7×107h。本文关于GaAs PHEMT器件失效机理和寿命评估实验研究,为日后开展GaAs PHEMT器件可靠性研究提供了一定的技术指导。
任瑞涛[6]（2008）在《集成电路HPM损伤的计算机模拟》文中指出随着超大规模集成技术的发展,集成度呈指数级增长,一个普通的芯片上就集成上亿个元器件。随之也带来的有些不利因素:集成电路的抗电磁脉冲能力仅是晶体管的千分之一和电子管的万分之一。当受到HPM辐射时很容易受损,往往一个能量不算很大的电磁脉冲都会让集成电路产生误码甚至烧毁,造成整个系统瘫痪。课题主要目的是建立集成电路模型,研究在高功率微波环境下集成电路的损伤阈值。首先,本文介绍了高功率微波的效应,并分析半导体器件的主要失效机理和损伤模式。然后,由实验和一些相关文献分析出,CMOS集成电路的永久性失效主要包括金属引线的烧毁和栅氧化层的击穿两种情况。通过研究CMOS集成电路的组成和集成电路内部分布参数,采用PSPICE软件来建立CMOS集成电路模型,计算栅极电压以及各条金属线支路的电流。使用电磁场有限元法（工具软件ANSYS）来计算金属引线上的场强分布、温度分布和栅极上氧化层的场强分布,然后来确定其工作状况,这样得到集成电路的损伤阈值。最后,以此模型为基础,在高功率微波环境下对集成电路做损伤实验。本文从不同的集成电路尺寸、不同的脉宽和极化方向这三个方面来分析集成电路的损伤阈值,得出一些规律性结论。因此,研究高功率微波脉冲辐射源对电子器件的损伤作用,对于提高高功率微波脉冲辐射源的辐射效能和集成电路的抗干扰能力都具有十分重要的意义。
王洪海[7]（2006）在《同时双向传输接口的研究与实现》文中指出集成电路技术的不断发展对高性能的I/O接口提出了越来越高的要求,目前I/O接口的数据传输速率远远没有跟上芯片的发展要求。同时双向传输逻辑（SBTL）就是为弥补芯片传输瓶颈而提出的,它用一个I/O引脚实现了同时发送和接收信号的功能,将有效数据带宽提高了一倍。本文在系统仔细研究国际上SBTL技术和各种实现技术的基础上,设计了一个高性能的SBTL接口电路,完成了全定制的版图设计和验证。根据传输线的性质和信号反射原理,要得到理想的SBTL信号,输出驱动器必须与传输线的阻抗完全匹配,而CMOS工艺下制作的MOS管沟道电阻值受工艺和温度因素影响很大。本文设计了一个阻抗可变的输出驱动器,并配套地设计了自适应的阻抗控制电路,能在电路工作中实时调节输出阻抗。在此基础上,提出并实现了一种新型的自适应阻抗控制电路——脉冲试探法自适应阻抗控制电路,它能直接跟踪传输线的阻抗变化,从而达到更好的阻抗匹配,并且节省了2个PAD和2个片外电阻。整个SBTL系统采用伪差分信号传输技术,以很小的代价达到类似差分电路的抗共模噪声的能力。所设计的SBTL接口带有信号预矫正功能,能有效的提高高速信号传输的抗码间干扰能力,而且这种技术没有像预加重技术那样引入额外的EMI（电磁干扰）问题和额外功耗的开销。芯片采用0.18μm CMOS工艺,版图的Spice模拟显示能达到1GHz的工作频率,单向数据传输2Gb/s,双向同时传输达到4Gb/s,平均功耗仅18.9mW。
王建冈[8]（2006）在《集成电力电子模块封装技术的研究》文中进行了进一步梳理电力电子系统集成是一项电力电子技术与材料、机械、化学、信息等多学科边缘交叉渗透的综合性工程,可实现电力电子系统的高功率密度、高效率、高可靠性以及低成本,是电力电子技术发展的重要方向。模块的封装技术是电力电子系统集成的重要组成部分,直接影响模块的电气性能、EMI特性和热性能等,被公认为是未来电力电子技术发展的核心推动力。在电力电子集成系统中,各分立元器件被集成电力电子模块（Integrated Power Electronics Module,IPEM）取代,研究IPEM的封装技术具有重要意义和实用价值。本文介绍了薄厚膜技术、封装结构与互连技术和基板技术等电力电子封装的关键技术,详细比较分析了已存在的薄膜覆盖封装技术等三维IPEM封装技术。标准开关单元可以最大限度地应用于多种变换器中,将它们与其驱动等电路集成在一起,就构成了有源IPEM。倒装芯片技术（Flip Chip Technology,FCT）广泛应用于微电子封装,将该技术引入到三维有源IPEM的封装中,可以构成倒装芯片集成电力电子模块（FC-IPEM）。在实验室封装完成了由两只球栅阵列封装MOSFET及其驱动、保护等电路构成的半桥FC-IPEM。FC-IPEM中,由焊料凸点实现芯片和基板的互连,取代了传统的引线键合,三维封装结构取代了传统的平面封装结构。在封装过程中,提出印刷电路板焊盘预先涂覆焊料法,提高焊点寿命,同时控制工艺过程的参数,实现FC-IPEM可靠性的提高。采用阻抗分析仪测量半桥FC-IPEM的寄生参数,建立寄生参数模型,测量中,使用改进型寄生电容测量方法,提高了测量的准确性。通过分析电磁干扰的传输路径,提出改善FC-IPEM电磁兼容性能的措施。采用半桥FC-IPEM构成同步整流Buck变换器,进行了电气性能测试。测试结果证明了模块寄生电感小,电气性能优越。建立了半桥FC-IPEM的一维热阻模型,得到芯片热传输的主要热阻来源,并运用FLOTHERM软件进行三维热仿真分析,得到模块的稳态传热结果,并给出优化模块热性能的依据,结果证明三维封装的半桥FC-IPEM实现了良好的热设计。采用模块电源构成飞机高压直流电气系统的二次电源分布式系统,可提高供电可靠性和供电质量。模块电源采用移相控制零电压开关（Zero VoltageSwitching , ZVS）脉宽调制全桥变换器拓扑。由于难以获取双面可焊大功率器件芯片以及集成控制电路芯片,现实可行的选择是本模块电源的器件均采用已商品化的表面组装器件,通过合理的电路和结构设计,经二次封装形成电源模块。在实验室,采用三维叠层封装结构,选用了高导热率的铝基板作为底层基板,完成了28V/36A输出航空用模块电源样机,平面变压器技术为模块电源的薄型化提供了条件。为了利用变压器漏感的能量实现滞后桥臂开关管的ZVS,绕组采用非交错结构,并对磁件设计进行了优化。建立了模块电源的寄生参数模型,提出改善模块电源EMC性能的措施。对模块电源进行电气性能测试,给出电气性能测试结果。最后,运用FLOTHERM软件对模块电源进行三维热仿真分析,得到稳态传热结果。本模块电源的封装技术研究成果可推广应用于中大功率通信、计算机用模块电源中。
李国洪[9]（2005）在《混合动力汽车控制策略与动力电池系统的研究》文中指出能源危机和环境污染是当今世界可持续发展所面临的两大根本问题,混合动力汽车在技术、经济和环境等方面具有综合优势,是目前缓解这两个问题的有效途径。完善混合动力系统控制策略是提高燃油经济性和减少污染排放的重要手段,而动力电池的性能测试及电池管理系统是混合动力汽车的重要组成部分。基于并联结构的分布式XL2000混合动力轿车控制系统,依据驾驶员需求划分了混合动力轿车的五种运行模式,构建了模式切换图;根据整车控制目标要求,提出了基于发动机万有特性参数及遵循车辆驱动优先、动力电池能量维持、再生制动最大能量回收三个原则的转矩管理策略;搭建了混合动力轿车系统模型,进行了控制策略仿真。把传统汽车的速度跟踪控制引入到混合动力汽车控制中,根据转矩管理策略把混合动力汽车的目标转矩分配为发动机和电机的目标转矩,实现了发动机和基于MAP图的电机逆转矩控制,妥善处理了电机和发动机混合驱动问题,达到速度跟踪控制的目的。从混合动力汽车的实际需求出发,以C8052F020和MC68HC908GZ16单片机作为控制系统核心,组成上下位机测控系统,实现了电池管理系统的硬件、软件和CAN总线设计。在分析动力电池在混合动力汽车行驶时的充放电工作过程的基础上,建立了一种镍氢动力电池等效电路及其动力电池的参数模型,提出了基于稳态开路电压和状态空间的SOC动态估算方法。设计了基于工控机和RS485总线的包括温度巡检仪、电压巡检仪、充电设备、放电设备的分布式动力电池性能测试系统,提出了恒流放电、恒电阻放电和恒功率放电算法,通过控制与动力电池相连的多路大功率场效应管的通断,利用PWM脉宽调制原理调节放电电流,覆盖了放电电流的调节范围,从而实现动力电池的放电控制,为模拟电动汽车行驶工况下的动力电池工作过程构建了实验环境。
信息产业部电子第五研究所赛宝信息研究中心[10]（2004）在《2003年IEEE国际可靠性物理年会论文集论文摘要（3）》文中指出 47.铜金属化中时间相关介质击穿的物理模型（APhysical Model of Time-Dependent Dielectric Break-down in Copper Metallization）——2003 Interna-tional Reliability Physics Symposium pp.282-286. 研究了铜互连介质击穿的物理模型,评价了关于Cu+扩散和漂移的通用连通等式,开发了用于预计TDDB寿命的分析表达式。模型预计与不同电场和温度下的实验数据很吻合。寿命与加速应力下的电场指数成正比,与E模型一致。
二、2003年IEEE国际可靠性物理年会论文集论文摘要(1)（论文开题报告）
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
本文主要提出一款精简64位RISC处理器存储管理单元结构并详细分析其设计过程。在该MMU结构中,TLB采用叁个分离的TLB,TLB采用基于内容查找的相联存储器并行查找,支持粗粒度为64KB和细粒度为4KB两种页面大小,采用多级分层页表结构映射地址空间,并详细论述了四级页表转换过程,TLB结构组织等。该MMU结构将作为该处理器存储系统实现的一个重要组成部分。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
三、2003年IEEE国际可靠性物理年会论文集论文摘要(1)（论文提纲范文）
（1）MOS结构总剂量辐射效应建模方法研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 符号对照表 |
| 缩略语对照表 |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 研究背景和意义 |
| 1.2 国内外研究现状 |
| 1.3 本论文主要研究工作 |
| 1.4 论文组织结构 |
| 第二章MOS器件总剂量辐射损伤效应及其原理分析 |
| 2.1 MOS器件的总剂量效应研究机制 |
| 2.1.1 电子-空穴对的产生与运输 |
| 2.1.2 氧化层陷阱电荷的形成 |
| 2.1.3 界面态陷阱电荷的形成 |
| 2.2 辐射引起器件电学特性变化 |
| 2.2.1 阈值电压漂移 |
| 2.2.2 亚阈值摆幅的变化 |
| 2.2.3 载流子迁移率下降 |
| 2.2.4 泄露电流的增大 |
| 2.3 辐照温度对总剂量辐射效应的影响 |
| 2.3.1 辐照温度对电子-空穴生成与复合的影响 |
| 2.3.2 辐照温度对氧化层陷阱电荷生成的影响 |
| 2.3.3 辐照温度对界面态形成的影响 |
| 2.3.4 辐照温度对陷阱电荷退火的影响 |
| 2.4 本章小结 |
| 第三章 考虑辐照温度的总剂量效应模型 |
| 3.1 总剂量辐射效应建模方法 |
| 3.1.1 基于表面势模型 |
| 3.1.2 基于电荷与电导模型 |
| 3.1.3 基于统计学与概率论模型 |
| 3.1.4 基于氧化层与界面态陷阱电荷的形成模型 |
| 3.1.5 基于计算机科学与仿真技术的行为级模型 |
| 3.2 一般模型的建模方法 |
| 3.2.1 氧化层一般模型的建立 |
| 3.2.2 界面态一般模型的建立 |
| 3.2.3 一般模型存在的问题 |
| 3.3 改进的MOS器件总剂量辐射效应模型 |
| 3.3.1 氧化层改进模型 |
| 3.3.2 界面态辐照温度影响下概率分布模型 |
| 3.4 界面态概率模型置信带验证 |
| 3.4.1 K-S置信带的构造 |
| 3.4.2 K-S检验置信带在Matlab中的实现 |
| 3.5 总剂量辐射改进模型验证 |
| 3.6 本章小结 |
| 第四章 总剂量辐射实验及模型验证 |
| 4.1 总剂量辐射实验 |
| 4.1.1 实验设计方案 |
| 4.1.2 实验结果 |
| 4.2 总剂量辐射模型验证 |
| 4.2.1 阈值电压提取 |
| 4.2.2 总剂量辐射模型拟合验证 |
| 4.3 本章小结 |
| 第五章 总结和展望 |
| 5.1 论文工作总结 |
| 5.2 研究展望 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 作者简介 |
（2）深亚微米CMOS集成电路可靠性评价与设计技术研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 研究背景与意义 |
| 1.2 国内外研究进展 |
| 1.2.1 CMOS工艺可靠性研究进展 |
| 1.2.2 铁电存储器辐射效应研究进展 |
| 1.3 主要贡献与创新 |
| 1.4 论文的内容安排 |
| 第二章 CMOS集成电路的可靠性问题 |
| 2.1 载流子注入 |
| 2.1.1 热载流子注入概述 |
| 2.1.2 热载流子注入的物理机理 |
| 2.1.2.1 电场驱动的沟道热载流子机理 |
| 2.1.2.2 能量驱动的沟道热载流子机理 |
| 2.1.2.3 多振荡激发机理 |
| 2.2 经时击穿 |
| 2.2.1 经时击穿的过程 |
| 2.2.2 氧化层缺陷产生模型 |
| 2.2.2.1 空穴陷阱模型 |
| 2.2.2.2 阳极空穴注入模型 |
| 2.2.2.3 阳极氢释放模型 |
| 2.2.2.4 热化学击穿模型 |
| 2.2.2.5 渗流模型 |
| 2.2.3 经时击穿模型 |
| 2.2.3.1 1/E模型 |
| 2.2.3.2 E模型 |
| 2.2.3.3 V模型 |
| 2.2.3.4 指数模型 |
| 2.3 负偏置温度不稳定性 |
| 2.3.1 反应扩散模型 |
| 2.3.2 复原 |
| 2.3.2.1 界面态陷阱的复原 |
| 2.3.2.2 陷阱空穴的复原 |
| 2.4 电迁移 |
| 2.4.1 电迁移概述 |
| 2.4.2 电迁移的测试结构 |
| 2.4.2.1 测试结构设计要求 |
| 2.4.2.2 金属线与电流源的连接方式 |
| 2.5 辐射效应 |
| 2.5.1 电离辐射效应 |
| 2.5.1.1 总剂量效应 |
| 2.5.1.2 单粒子效应 |
| 2.5.2 位移损伤 |
| 2.6 本章小结 |
| 第三章 65 纳米CMOS工艺的热载流子注入效应研究 |
| 3.1 测试结构和测试方法 |
| 3.1.1 测试结构 |
| 3.1.2 测试方法 |
| 3.2 加速试验及寿命评估 |
| 3.2.1 加速试验 |
| 3.2.2 寿命评估 |
| 3.3 热载流子退化的仿真研究 |
| 3.4 不同温度下的热载流子退化研究 |
| 3.5 热载流子对环形栅和条形栅MOS器件的影响 |
| 3.5.1 实验过程 |
| 3.5.2 结果和讨论 |
| 3.6 热载流子和冷载流子对MOS器件性能影响的研究 |
| 3.6.1 实验过程 |
| 3.6.2 结果和讨论 |
| 3.7 抗热载流子退化加固设计 |
| 3.7.1 环形栅结构 |
| 3.7.2 轻掺杂漏结构 |
| 3.7.3 工艺加固设计 |
| 3.8 本章小结 |
| 第四章 65 纳米CMOS工艺的经时击穿效应研究 |
| 4.1 测试结构和测试方法 |
| 4.1.1 测试结构 |
| 4.1.2 测试方法 |
| 4.2 加速试验及寿命评估 |
| 4.2.1 加速试验 |
| 4.2.2 寿命评估 |
| 4.3 经时击穿特性分析 |
| 4.3.1 栅极电压和击穿时间的关系 |
| 4.3.2 栅氧化层面积和击穿时间的关系 |
| 4.3.3 栅氧化层厚度和击穿时间的关系 |
| 4.3.4 温度和击穿时间的关系 |
| 4.4 恒定电压和衬底热载流子对超薄栅氧化层经时击穿特性的影响 |
| 4.4.1 理论描述 |
| 4.4.2 实验过程 |
| 4.4.3 结果和讨论 |
| 4.4.3.1 恒定电压应力下不同栅氧厚度MOS器件的经时击穿特性 |
| 4.4.3.2 衬底热载流子和恒定电压应力下薄栅氧化层经时击穿特性 |
| 4.5 本章小结 |
| 第五章 0.13 微米CMOS工艺铁电存储器的总剂量辐射效应研究 |
| 5.1 铁电存储器构造及工作原理 |
| 5.2 基于March C-的铁电存储器的测试方法 |
| 5.3 不同辐射源的总剂量效应辐射试验 |
| 5.3.1 Co-60γ 射线全芯片辐射实验 |
| 5.3.2 电子加速器局部辐射实验 |
| 5.4 铁电存储器的总剂量效应失效分析 |
| 5.5 不同辐射源的总剂量效应的对比分析 |
| 5.6 抗辐射加固设计 |
| 5.6.1 环形栅结构设计 |
| 5.6.2 保护环设计 |
| 5.6.3 无电荷泵结构 |
| 5.6.4 DICE结构锁存器 |
| 5.7 本章小结 |
| 第六章 总结与展望 |
| 6.1 全文总结 |
| 6.2 工作展望 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
| 攻读博士学位期间取得的成果 |
（3）密封继电器微粒碰撞噪声检测的试验条件研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 目录 |
| Contents |
| 第1章 绪论 |
| 1.1 课题背景及研究目的和意义 |
| 1.2 课题的国内外研究现状 |
| 1.2.1 国外研究现状 |
| 1.2.2 国内研究现状 |
| 1.3 本文的主要研究内容 |
| 第2章 试验条件研究平台的设计与实现 |
| 2.1 引言 |
| 2.2 可输出随机振动激励的多余物自动检测系统 |
| 2.2.1 系统主要技术指标 |
| 2.2.2 随机振动激励信号生成方法 |
| 2.2.3 多余物自动检测系统总体方案设计 |
| 2.2.4 随机振动驱动模块硬件设计 |
| 2.2.5 随机振动驱动模块软件设计 |
| 2.3 多余物运动过程分析系统 |
| 2.3.1 系统总体方案设计 |
| 2.3.2 多余物运动图像预处理 |
| 2.3.3 多余物图像边缘检测 |
| 2.3.4 多余物运动参数计算 |
| 2.3.5 系统性能验证 |
| 2.4 本章小结 |
| 第3章 多余物激活过程影响因素分析 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 多余物激活过程仿真分析 |
| 3.2.1 振动试验条件的多余物激活效果仿真分析 |
| 3.2.2 冲击试验条件的激活效果仿真分析 |
| 3.2.3 试验条件对多余物激活效果影响规律验证 |
| 3.3 多余物无效激活频率 |
| 3.3.1 激活过程实验分析 |
| 3.3.2 多余物激活过程数学描述 |
| 3.3.3 无效激活频率确定 |
| 3.4 多余物微粒静电吸附特性 |
| 3.4.1 接触带电过程 |
| 3.4.2 多余物微粒与继电器的接触带电 |
| 3.4.3 静电吸附多余物微粒激活过程 |
| 3.4.4 静电吸附现象实验分析 |
| 3.5 本章小结 |
| 第4章 PIND极限试验条件分析 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 PIND极限试验条件评判标准分析 |
| 4.2.1 试验条件对密封继电器的损伤机理 |
| 4.2.2 PIND极限试验条件的评判标准 |
| 4.3 密封继电器PIND极限试验条件分析方法 |
| 4.3.1 密封继电器有限元模型 |
| 4.3.2 分析方法验证 |
| 4.4 极限试验条件仿真分析 |
| 4.4.1 极限冲击试验条件 |
| 4.4.2 极限振动试验条件 |
| 4.4.3 冲击极限试验条件验证 |
| 4.5 本章小结 |
| 第5章 PIND最佳试验条件分析 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 多余物激励过程仿真分析方法 |
| 5.2.1 多余物激励过程的动力学模型 |
| 5.2.2 仿真分析方法验证 |
| 5.3 振动试验条件对多余物检测效果的影响与多余物及被试器件参数的关系 |
| 5.3.1 多余物材质和质量 |
| 5.3.2 多余物不同初始位置 |
| 5.3.3 被试器件内部结构 |
| 5.3.4 被试器件内腔高度 |
| 5.4 振动试验条件对多余物检测效果影响 |
| 5.4.1 正弦和随机振动条件对多余物检测效果影响 |
| 5.4.2 三角谱型斜率变化对多余物检测效果影响 |
| 5.5 新的PIND试验方法 |
| 5.5.1 最佳振动试验条件确定 |
| 5.5.2 最佳冲击试验条件确定 |
| 5.5.3 试验方向的确定 |
| 5.5.4 新的PIND试验程序 |
| 5.5.5 新PIND试验方法验证 |
| 5.6 本章小结 |
| 结论 |
| 参考文献 |
| 攻读博士学位期间发表的论文 |
| 致谢 |
| 个人简历 |
（4）一种新型反熔丝存储器的研制及其抗辐射加固方法研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 研究背景和意义 |
| 1.1.1 空间辐射环境 |
| 1.1.2 电离辐射效应 |
| 1.1.3 抗辐射存储器的应用需求 |
| 1.2 抗辐射存储器的研究现状 |
| 1.2.1 已有抗辐射存储器和新型存储器的研制进展 |
| 1.2.2 抗辐射反熔丝存储器的研制 |
| 1.3 抗辐射反熔丝PROM 研制的关键问题 |
| 1.3.1 反熔丝器件的制备技术研究 |
| 1.3.2 反熔丝器件的辐射效应 |
| 1.3.3 抗辐射加固设计 |
| 1.4 本文的主要工作及内容安排 |
| 1.4.1 主要贡献和创新 |
| 1.4.2 论文内容安排 |
| 第二章 新型反熔丝器件的设计与实现 |
| 2.1 反熔丝器件概述 |
| 2.2 与商用Flash 工艺兼容的新型反熔丝器件结构 |
| 2.3 新型反熔丝器件的特性研究 |
| 2.3.1 编程特性 |
| 2.3.2 击穿后电阻特性 |
| 2.4 本章小结 |
| 第三章 反熔丝PROM 的研制 |
| 3.1 反熔丝PROM 存储器概述 |
| 3.2 反熔丝PROM 的设计 |
| 3.2.1 电路设计 |
| 3.2.2 版图设计 |
| 3.3 反熔丝PROM 的测试 |
| 3.3.1 编程功能测试 |
| 3.3.2 读取功能测试 |
| 3.4 本章小结 |
| 第四章 辐射效应测试方法研究 |
| 4.1 地面模拟辐射效应实验概述 |
| 4.2 总剂量辐射效应试验方法研究 |
| 4.2.1 总剂量辐射效应实验的相关术语 |
| 4.2.2 总剂量辐射效应测试流程 |
| 4.3 单粒子辐射效应实验方法研究 |
| 4.3.1 单粒子辐射效应实验的相关术语 |
| 4.3.2 单粒子效应地面模拟实验使用的模拟源简介 |
| 4.3.3 锎源与重离子加速器的单粒子效应对比研究 |
| 4.3.4 单粒子效应测试方法 |
| 4.4 本章小结 |
| 第五章 基于CMOS 工艺的抗辐射加固设计研究 |
| 5.1 抗辐射加固方法概述 |
| 5.1.1 针对总剂量辐射效应的加固方法 |
| 5.1.2 针对单粒子闩锁效应的加固方法 |
| 5.2 封闭形栅的加固方法研究 |
| 5.2.1 封闭形栅的器件性能研究 |
| 5.2.2 封闭形栅的总剂量辐射效应研究 |
| 5.3 基于保护环的加固方法研究 |
| 5.3.1 测试样片 |
| 5.3.2 辐照环境与测试方法 |
| 5.3.3 实验结果与讨论 |
| 5.4 本章小结 |
| 第六章 反熔丝PROM 的辐射效应研究 |
| 6.1 反熔丝PROM 的总剂量辐射效应研究 |
| 6.1.1 反熔丝存储器件的总剂量辐射效应研究 |
| 6.1.2 反熔丝PROM 的总剂量辐射效应研究 |
| 6.2 反熔丝PROM 的单粒子辐射效应研究 |
| 6.2.1 概述 |
| 6.2.2 实验环境与实验方法 |
| 6.2.3 实验结果与讨论 |
| 6.3 本章小结 |
| 第七章 基于SRAM 的FPGA 和FLASH 存储器的辐射效应研究 |
| 7.1 概述 |
| 7.2 总剂量辐射效应研究 |
| 7.2.1 基于SRAM 的FPGA 的总剂量辐射效应研究 |
| 7.2.2 Flash 存储器的总剂量辐射效应研究 |
| 7.2.3 几种存储器的总剂量辐射效应对比 |
| 7.3 不同类型存储器的单粒子辐射效应研究 |
| 7.3.1 单粒子闩锁辐射效应的研究 |
| 7.3.2 单粒子翻转辐射效应的研究 |
| 7.4 本章小结 |
| 第八章 结论与展望 |
| 8.1 工作总结 |
| 8.2 工作展望 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
| 博士在学期间的研究成果 |
（5）GaAs PHEMT器件失效机理及寿命评估研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 课题研究背景 |
| 1.2 国内外研究现状 |
| 1.3 课题来源及研究内容 |
| 第二章 GaAs PHEMT 器件寿命实验 |
| 2.1 GaAs PHEMT 器件结构 |
| 2.2 GaAs PHEMT 器件寿命实验理论 |
| 2.2.1 寿命实验概述 |
| 2.2.2 GaAs PHEMT 寿命实验方法 |
| 2.3 GaAs PHEMT 器件寿命实验方案 |
| 2.3.1 实验样品 |
| 2.3.2 实验系统 |
| 2.3.3 实验条件 |
| 2.4 本章小结 |
| 第三章 GaAs PHEMT 器件结温测试 |
| 3.1 热阻 |
| 3.1.1 热阻与结温 |
| 3.1.2 热阻测试 |
| 3.2 单机理金属化结构结温测试 |
| 3.3 GaAs PHEMT 单管结温测试 |
| 3.4 本章小结 |
| 第四章 GaAs PHEMT 器件失效机理分析 |
| 4.1 GaAs PHEMT 器件的主要失效模式和失效机理 |
| 4.1.1 GaAs PHEMT 器件的主要失效模式 |
| 4.1.2 GaAs PHEMT 器件的常见失效机理 |
| 4.2 GaAs PHEMT 单机理金属化结构失效机理分析 |
| 4.3 GaAs PHEMT 单管失效机理分析 |
| 4.4 本章小结 |
| 第五章 GaAs PHEMT 器件寿命评估 |
| 5.1 GaAs PHEMT 寿命评估理论 |
| 5.1.1 寿命实验的常用的寿命分布 |
| 5.1.2 寿命实验的数据处理模型 |
| 5.2 GaAs PHEMT 器件寿命评估 |
| 5.2.1 GaAs PHEMT 单机理结构寿命评估 |
| 5.2.2 GaAs PHEMT 单管寿命评估 |
| 5.3 本章小结 |
| 结论与展望 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 附件 |
（6）集成电路HPM损伤的计算机模拟（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第1章 绪论 |
| 1.1 概述 |
| 1.2 国内外HPM研究现状 |
| 1.3 课题的研究背景和意义 |
| 1.4 论文的研究目的及我所做的工作 |
| 第2章 HPM对半导体器件作用效应及主要失效机理 |
| 2.1 HPM效应 |
| 2.2 半导体器件烧毁的物理机理 |
| 2.3 HPM能量的耦合途径 |
| 2.4 电子、电气系统对HPM的防护原则 |
| 2.5 HPM对半导体器件的损伤实验 |
| 2.5.1 对CMOS、TTL芯片损伤实验 |
| 2.5.2 脉冲宽度与损伤阈值的实验 |
| 2.5.3 水平极化和垂直极化的测试 |
| 2.5.4 缝孔效应测试 |
| 2.6 本章小结 |
| 第3章 电磁场问题的求解依据和有限元法 |
| 3.1 电磁场问题求解依据 |
| 3.1.1 麦克斯韦方程组 |
| 3.1.2 波动方程 |
| 3.1.3 边界条件 |
| 3.1.4 辐射条件 |
| 3.2 有限元法 |
| 3.2.1 有限元法简介 |
| 3.2.2 有限元法的基本步骤 |
| 3.2.3 有限元公式的另一种表示 |
| 3.3 本章小结 |
| 第4章 CMOS集成电路模型的设计 |
| 4.1 互连线的模型 |
| 4.1.1 分布电阻 |
| 4.1.2 分布电容 |
| 4.1.3 分布电感 |
| 4.2 MOS器件模型 |
| 4.3 按比例缩小 |
| 4.3.1 晶体管按比例缩小 |
| 4.3.2 互连线按比例缩小 |
| 4.4 CMOS集成电路模型 |
| 4.5 本章小结 |
| 第5章 HPM对CMOS集成电路损伤的模拟计算 |
| 5.1 电磁脉冲产生感应电动势的计算 |
| 5.2 金属引线的烧毁 |
| 5.2.1 理论分析 |
| 5.2.2 互连线烧毁的仿真模型 |
| 5.2.3 仿真结果 |
| 5.3 MOS器件击穿 |
| 5.3.1 介质击穿模型 |
| 5.3.2 栅氧层击穿的仿真模型 |
| 5.3.3 仿真结果 |
| 5.4 集成电路HPM损伤的结果分析和讨论 |
| 5.4.1 工艺尺寸与损伤阈值的关系 |
| 5.4.2 脉冲宽度和损伤阈值的关系 |
| 5.4.3 垂直极化和水平极化 |
| 5.4.4 CMOS集成电路的HPM保护电路的设计 |
| 5.5 本章小结 |
| 结论 |
| 参考文献 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文和取得的科研成果 |
| 致谢 |
| 详细摘要 |
（7）同时双向传输接口的研究与实现（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 课题研究背景 |
| 1.2 SBTL的意义与研究现状 |
| 1.2.1 SBTL接口的意义 |
| 1.2.2 国内外研究现状 |
| 1.3 完成的主要工作 |
| 1.4 文章结构 |
| 第二章 I/O接口概述 |
| 2.1 引言 |
| 2.2 电压模式和电流模式 |
| 2.3 差分信号和单端信号 |
| 2.4 单向传输和同时双向传输 |
| 2.5 传输线性质和模型 |
| 2.5.1 传输线的延时和阻抗 |
| 2.5.2 传输线模型 |
| 2.6 高速I/O接口电路信号完整性分析 |
| 2.6.1 反射 |
| 2.6.2 串扰 |
| 2.6.3 地弹 |
| 2.7 小结 |
| 第三章 SBTL总体方案设计 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 SBTL信号传输方案 |
| 3.2.1 电压模式 |
| 3.2.2 电流模式 |
| 3.2.3 两种模式比较 |
| 3.3 动态参考信号 |
| 3.3.1 分立参考信号 |
| 3.3.2 共享双参考信号 |
| 3.3.3 共享单参考信号 |
| 3.4 SBTL总体结构 |
| 3.5 小结 |
| 第四章 SBTL接收器设计 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 二输入接收器 |
| 4.2.1 功能设计和性能要求 |
| 4.2.2 电路设计 |
| 4.3 四输入接收器 |
| 4.3.1 功能设计和性能要求 |
| 4.3.2 接收器电路设计 |
| 4.3.3 时钟生成电路设计 |
| 4.4 小结 |
| 第五章 SBTL驱动器设计 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 驱动管原理分析 |
| 5.3 可变输出阻抗 |
| 5.3.1 模拟方式可变阻抗 |
| 5.3.2 数字方式可变阻抗 |
| 5.4 预矫正信号 |
| 5.5 小结 |
| 第六章 自适应阻抗控制电路设计 |
| 6.1 引言 |
| 6.2 常规阻抗控制方法 |
| 6.3 一种新型自适应阻抗控制方法 |
| 6.3.1 工作原理 |
| 6.3.2 采样电路的设计 |
| 6.3.3 抖动检测和锁定电路 |
| 6.3.4 亚稳态检测和消除电路 |
| 6.3.5 下拉管阻抗控制 |
| 6.3.6 时钟生成电路 |
| 6.3.7 参考电压生成 |
| 6.4 模拟 |
| 6.5 小结 |
| 第七章 版图设计 |
| 7.1 功能模块版图设计 |
| 7.2 ESD保护设计 |
| 第八章 模拟结果及测试方案 |
| 8.1 模拟结果 |
| 8.2 测试方案 |
| 8.2.1 功能测试 |
| 8.2.2 性能测试 |
| 第九章 结束语 |
| 9.1 工作总结 |
| 9.2 未来研究设想 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
| 作者在学期间取得的学术成果 |
| 附录A 用Field Solver计算的W模型 |
（8）集成电力电子模块封装技术的研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 研究背景 |
| 1.1.1 电力电子技术的发展与现状 |
| 1.1.2 电力电子系统集成的提出 |
| 1.2 国内外研究现状 |
| 1.2.1 开关单元和元件单元 |
| 1.2.2 电力电子标准模块级 |
| 1.2.3 系统级 |
| 1.3 本论文研究意义与研究内容 |
| 第二章 集成电力电子模块封装的关键技术 |
| 2.1 引言 |
| 2.2 基础封装理论 |
| 2.3 膜技术 |
| 2.3.1 薄膜技术 |
| 2.3.2 厚膜技术 |
| 2.4 基板技术 |
| 2.4.1 DBC 陶瓷基板 |
| 2.4.2 绝缘金属基板 |
| 2.4.3 玻璃布基板 |
| 2.4.4 柔性基板 |
| 2.5 封装结构与互连技术 |
| 2.5.1 平面封装结构和引线键合技术 |
| 2.5.2 三维封装结构和新型互连技术 |
| 2.6 封装材料与技术 |
| 2.6.1 焊接材料 |
| 2.6.2 下填充材料 |
| 2.6.3 热传导密封材料 |
| 2.7 本章小结 |
| 第三章 倒装芯片集成电力电子模块 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 FC-IPEM 的设计 |
| 3.2.1 电路结构和器件选择 |
| 3.2.2 FC-IPEM 的结构 |
| 3.2.3 FC-IPEM 的材料选择 |
| 3.3 FC-IPEM 的封装 |
| 3.3.1 基板准备 |
| 3.3.2 封装程序 |
| 3.4 FC-IPEM 的可靠性控制 |
| 3.4.1 焊点形状优化设计 |
| 3.4.2 封装工艺过程的控制 |
| 3.5 FC-IPEM 的寄生参数模型 |
| 3.5.1 FC-IPEM 的寄生参数提取 |
| 3.5.2 FC-IPEM 的等效电路模型 |
| 3.5.3 改善FC-IPEM EMC 性能的措施 |
| 3.6 FC-IPEM 的电气性能测试 |
| 3.7 本章小结 |
| 第四章 集成电力电子模块的热设计 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 热设计基础 |
| 4.2.1 热传输原理 |
| 4.2.2 冷却技术 |
| 4.2.3 电子元器件的工作温度 |
| 4.2.4 热管理 |
| 4.3 FC-IPEM 的热设计 |
| 4.3.1 损耗分析 |
| 4.3.2 一维热阻模型 |
| 4.3.3 三维热分析 |
| 4.3.4 参数分析 |
| 4.4 小结 |
| 第五章 航空用大功率模块电源 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 电路拓扑及控制选择 |
| 5.3 器件选择 |
| 5.4 封装结构 |
| 5.5 关键技术的应用研究 |
| 5.5.1 平面变压器技术 |
| 5.5.2 尖峰抑制器技术 |
| 5.5.3 模块并联技术 |
| 5.6 封装程序 |
| 5.7 寄生参数模型 |
| 5.7.1 寄生电感 |
| 5.7.2 寄生电容 |
| 5.7.3 线路布局优化设计 |
| 5.8 实验结果 |
| 5.9 小结 |
| 第六章 航空用大功率模块电源的热设计 |
| 6.1 引言 |
| 6.2 损耗分析 |
| 6.2.1 开关管损耗 |
| 6.2.2 整流二极管损耗 |
| 6.2.3 变压器损耗 |
| 6.2.4 滤波电感损耗 |
| 6.2.5 损耗分布 |
| 6.3 热分析 |
| 6.3.1 三维热分析模型 |
| 6.3.2 热分析结果 |
| 6.4 小结 |
| 第七章 工作总结及展望 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 在学期间的研究成果及发表的学术论文 |
（9）混合动力汽车控制策略与动力电池系统的研究（论文提纲范文）
| 中文摘要 |
| ABSTRACT |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 国内外混合动力汽车的发展状况 |
| 1.2 混合动力汽车的类型及特点 |
| 1.2.1 串联型混合动力汽车SHEV |
| 1.2.2 并联型混合动力汽车PHEV |
| 1.2.3 混联型混合动力汽车SPHEV |
| 1.3 典型的混合动力汽车控制策略 |
| 1.3.1 串联混合动力汽车控制策略 |
| 1.3.2 并联混合动力汽车控制策略 |
| 1.3.3 混联混合动力汽车控制策略 |
| 1.4 混合动力汽车的关键技术 |
| 1.4.1 电池的能量存储及电池管理系统 |
| 1.4.2 混合动力控制单元 |
| 1.4.3 电机及其驱动控制 |
| 1.4.4 控制策略 |
| 1.5 本文的主要研究内容 |
| 第二章 混合动力轿车控制策略与仿真研究 |
| 2.1 XL2000 轻度混合动力总成系统结构 |
| 2.2 混合动力轿车的动力学及运动学模型 |
| 2.2.1 混合动力轿车的动力学平衡方程 |
| 2.2.2 混合动力轿车的驱动转矩 |
| 2.2.3 混合动力轿车的驱动力与驱动转矩的转换关系 |
| 2.2.4 混合动力轿车的运动学方程 |
| 2.3 混合动力轿车运行模式划分 |
| 2.3.1 运行模式 |
| 2.3.2 运行模式的切换 |
| 2.4 混合动力轿车多能源动力系统控制策略 |
| 2.4.1 控制策略制定原则 |
| 2.4.2 转矩管理策略 |
| 2.4.3 整车系统的动力协调控制 |
| 2.5 控制策略仿真 |
| 2.5.1 基于CRUISE 的仿真系统的开发 |
| 2.5.2 系统仿真模型开发要点 |
| 2.5.3 控制策略及仿真 |
| 2.5.4 混合动力轿车整车仿真模型 |
| 2.5.5 混合动力轿车主控制器仿真模型 |
| 2.6 控制策略仿真结果 |
| 2.6.1 欧洲市区行驶工况仿真结果 |
| 2.6.2 混合动力轿车与其原型车控制策略仿真比较 |
| 2.7 小结 |
| 第三章 混合动力汽车速度跟踪控制算法研究 |
| 3.1 混合动力汽车速度跟踪控制算法结构框图 |
| 3.2 速度跟踪控制算法 |
| 3.2.1 速度滤波器 |
| 3.2.2 传动系统逆动力学模型 |
| 3.2.3 变速器输入端的转矩需求 |
| 3.2.4 转矩分配控制器 |
| 3.2.5 发动机逆转矩控制器 |
| 3.2.6 发动机及ECU |
| 3.2.7 发动机反馈控制器 |
| 3.2.8 电机及控制器 |
| 3.2.9 速度反馈控制器 |
| 3.3 速度跟踪控制算法实验及结果 |
| 3.4 小结 |
| 第四章 混合动力汽车镍氢动力电池管理系统 |
| 4.1 电池管理系统的功能 |
| 4.1.1 电池管理系统的监控对象 |
| 4.1.2 电池管理系统功能要求 |
| 4.2 电池管理系统的结构及功能分配 |
| 4.2.1 电池管理系统的结构 |
| 4.2.2 功能分配 |
| 4.3 电池管理系统的设计 |
| 4.3.1 硬件设计 |
| 4.3.2 软件设计 |
| 4.3.3 CAN 总线的设计 |
| 4.4 系统测试 |
| 4.5 小结 |
| 第五章 动力电池等效电路及基于状态空间的SOC 估算技术 |
| 5.1 电池存储的能量模型及电池容量的电流积分法 |
| 5.1.1 镍氢电池简述 |
| 5.1.2 电池储存的能量模型 |
| 5.1.3 电池容量的电流积分法及电池的剩余容量计量 |
| 5.2 基于状态空间的镍氢动力电池 SOC 估算技术 |
| 5.2.1 概述 |
| 5.2.2 电池的等效电路 |
| 5.2.3 电池的动态模型 |
| 5.2.4 模型参数的计算 |
| 5.2.5 电池的SOC 与稳定的开路电压的关系 |
| 5.2.6 SOC 估计算法 |
| 5.3 Ni/MH 电池的SOC 的仿真计算 |
| 5.4 小结 |
| 第六章 电动汽车动力电池性能测试系统的设计 |
| 6.1 系统设计 |
| 6.1.1 电动汽车行驶工况分析 |
| 6.1.2 设计要求 |
| 6.1.3 系统组成与工作原理 |
| 6.2 充电设备 |
| 6.2.1 充电设备主电路的工作原理 |
| 6.2.2 可控硅充电设备触发电路设计 |
| 6.2.3 单片机控制系统结构及设计要点 |
| 6.3 放电设备 |
| 6.3.1 放电设备的基本原理 |
| 6.3.2 单片机控制系统的结构 |
| 6.3.3 场效应管驱动电路设计 |
| 6.3.4 放电算法 |
| 6.4 温度巡检仪设计 |
| 6.5 电压巡检仪设计 |
| 6.6 动力电池性能测试系统监控软件 |
| 6.6.1 动力电池性能测试系统软件的需求 |
| 6.6.2 监控软件的设计 |
| 6.7 18Ah 镍氢动力电池测试结果 |
| 6.8 小结 |
| 第七章 XL2000 HEV 台架调试、转毂试验和道路试验 |
| 7.1 动力总成系统台架及在线监控与标定系统 |
| 7.1.1 动力总成系统台架试验装置 |
| 7.1.2 在线监控与标定系统软件 |
| 7.1.3 台架联合调试 |
| 7.2 转毂试验 |
| 7.3 道路试验 |
| 7.4 小结 |
| 第八章 总结 |
| 参考文献 |
| 发表论文和参加科研情况说明 |
| 致谢 |
四、2003年IEEE国际可靠性物理年会论文集论文摘要(1)（论文参考文献）
- [1]MOS结构总剂量辐射效应建模方法研究[D]. 于鹏远. 西安电子科技大学, 2020(05)
- [2]深亚微米CMOS集成电路可靠性评价与设计技术研究[D]. 沈竞宇. 电子科技大学, 2019(01)
- [3]密封继电器微粒碰撞噪声检测的试验条件研究[D]. 王国涛. 哈尔滨工业大学, 2014(01)
- [4]一种新型反熔丝存储器的研制及其抗辐射加固方法研究[D]. 范雪. 电子科技大学, 2011(12)
- [5]GaAs PHEMT器件失效机理及寿命评估研究[D]. 吴强. 华南理工大学, 2011(12)
- [6]集成电路HPM损伤的计算机模拟[D]. 任瑞涛. 沈阳理工大学, 2008(04)
- [7]同时双向传输接口的研究与实现[D]. 王洪海. 国防科学技术大学, 2006(05)
- [8]集成电力电子模块封装技术的研究[D]. 王建冈. 南京航空航天大学, 2006(06)
- [9]混合动力汽车控制策略与动力电池系统的研究[D]. 李国洪. 天津大学, 2005(02)
- [10]2003年IEEE国际可靠性物理年会论文集论文摘要（3）[J]. 信息产业部电子第五研究所赛宝信息研究中心. 电子产品可靠性与环境试验, 2004(03)
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