一、我国砷化镓单晶生长技术世界领先（论文文献综述）
周铁军,廖彬,王金灵[1]（2020）在《大直径砷化镓发展趋势及应用》文中研究指明砷化镓广泛应用于光电子和微电子领域,是制作半导体发光二极管和通信器件的关键衬底材料。与硅单晶一样,砷化镓衬底正逐步向大尺寸、高几何精度、高表面质量方向发展。目前,日本住友电工、美国AXT代表着国际领先水平;广东先导先进材料公司代表着国内的领先技术已逐步追赶上国际水平。未来几年,是国内企业研发8英寸产品,向国际水平冲击的重要时期。
赵东华[2]（2019）在《国内半导体产业的发展研究》文中研究指明曾经“半导体”一词对非从业者而言显得十分陌生,而随着“中兴事件”的爆发,“集成电路”、“芯片”、“半导体”等关键词不断进入人们的视野。所谓“中兴事件”是指美国商务部于2018年4月16日宣布:未来7年内,美国公司不再向中兴通讯出售任何技术和设备。由于技术落后,在中高端芯片领域,我国极度依赖美国进口,很难找到可以替代的方案,如果此禁令被执行,中兴通讯的业务及发展在未来几年内将遭受重大打击。正是这一纸禁令使得半导体行业成为大众关注的焦点。半导体涵盖了一个庞大的知识体系,其中涉及物理、化学、材料等多学科知识,又涉及制备、刻蚀、封装等专业技术。总之,半导体是一个知识密集、技术密集、人才密集、资金密集型的综合型行业。整个半导体行业大致可划分为三个部分,分别是:由半导体材料构成的上游部分;由光电子、分立器件、传感器、集成电路组成的中游部分;最后,由终端电子产品组成了半导体行业的下游部分。本文首先在科技革命的大背景下简述半导体行业的发展历史以及在科技发展中的重要作用。其次从国内政策、经济、技术等方面阐述我国半导体行业发展的环境。再次围绕半导体行业的核心基础部分材料进行论述,重点详细介绍了以硅、锗为代表的第一代半导体材料,以砷化镓和磷化铟为代表的第二代半导体材料,以碳化硅、氮化镓为代表的第三代半导体材料的基本特点、性能及应用,研究其制备技术的发展等等。然后,分别对国外、国内半导体产业发展现状进行论述,分析了国外半导体发展的概况、在三代半导体材料方面的进展以及发展策略;对比了国内三代半导体材料的研究进展,总结了国内半导体产业发展的问题。最后,结合国外的发展经验、策略,针对国内出现的问题给出了相关建议。希望通过本文论述,可以使非从业者对半导体行业有个清晰的了解和认识;引入的相关行业数据,可以为从业者提供参考。
刘欣[3]（2019）在《中国物理学院士群体计量研究》文中进行了进一步梳理有关科技精英的研究是科学技术史和科学社会学交叉研究的议题之一,随着中国近现代科技的发展,中国科技精英的规模逐渐扩大,有关中国科技精英的研究也随之增多,但从学科角度进行科技精英的研究相对偏少;物理学是推动自然科学和现代技术发展的重要力量,在整个自然科学学科体系中占有较高地位,同时与国民经济发展和国防建设密切关联,是20世纪以来对中国影响较大的学科之一;中国物理学院士是物理学精英的代表,探讨中国物理学院士成长路径的问题,不仅有助于丰富对中国物理学院士群体结构和发展趋势的认识,而且有助于为中国科技精英的成长和培养提供相关借鉴;基于此,本文围绕“中国物理学院士的成长路径”这一问题,按照“变量——特征——要素——路径”的研究思路,引入计量分析的研究方法,对中国物理学院士这一群体进行了多角度的计量研究,文章主体由以下四部分组成。第一部分（第一章）以“院士制度”在中国的发展史为线索,通过对1948年国民政府中央研究院和国立北平研究院推选产生中国第一届物理学院士,1955年和1957年遴选出新中国成立后的前两届物理学学部委员、1980年和1991年增补的物理学学部委员、1993年后推选产生的中国科学院物理学院士、1994年后的中国科学院外籍物理学院士和中国工程院物理学院士,及其他国家和国际组织的华裔物理学院士的搜集整理,筛选出319位中国物理学院士,构成本次计量研究的样本来源。第二部分（第二至九章）对中国物理学院士群体进行计量研究。首先,以基本情况、教育经历、归国工作,学科分布、获得国内外重大科技奖励等情况为变量,对中国物理学院士群体的总体特征进行了计量分析;其次,按照物理学的分支交叉学科分类,主要对中国理论物理学、凝聚态物理学、光学、高能物理学、原子核物理学这五个分支学科的院士群体特征分别进行了深入的计量分析,对其他一些分支交叉学科,诸如天体物理学、生物物理学、工程热物理、地球物理学、电子物理学、声学、物理力学和量子信息科技等领域的院士群体的典型特征进行了计量分析,分析内容主要包括不同学科物理学院士的年龄结构、学位结构、性别比例,在各研究领域的分布、发展趋势和师承关系等;再次,在对各分支交叉学科物理学院士的基本情况和研究领域计量分析的基础上,对不同学科间物理学院士的基本情况进行比较研究,对中国物理学院士研究领域和代际演化进行趋势分析。第三部分（第十章）在第二部分计量分析的基础上,总结归纳出中国物理学院士的群体结构特征、研究领域和代际演化的趋势特征。中国物理学院士的群体结构呈现整体老龄化问题严重,但近些年年轻化趋向较为明显,整体学历水平较高,同时本土培养物理学精英的能力增强,女性物理学院士占比较低但他们科技贡献突出,空间结构“集聚性”较强,但近些年这种“集聚性”逐渐被打破等特征;中国物理学院士的研究领域呈现出,物理学科中交叉性较强的研究领域具有极大的发展潜力,应用性较强的研究领域产业化趋势明显,当代物理学的发展与科研实验设施的关系越发紧密等趋势特征;中国物理学院士的代际演化呈现出,新中国成立初期国家需求导向下的相关物理学科迅猛发展,20世纪80年代以来物理学院士研究兴趣与国家政策支持相得益彰,21世纪以来物理学院士个体对从事学科发展的主导作用越来越大等趋势特征。第四部分（第十一章）通过分析中国物理学院士群体的计量特征得出中国物理学院士的成长路径。宏观层面,社会时代发展大背景的影响一直存在,国家发展战略需求导向要素有所减弱,国家科技管理制度的要素影响有所增强,中国传统文化对物理学院士成长潜移默化的影响;中观层面,物理学学科前沿发展需求的导向要素显着增强,空间结构“集聚性”的影响逐渐在减弱,师承关系的影响主要体现于学科延承方面;微观层面,性别差异对物理学家社会分层的影响很弱,年龄要素对物理学院士成长具有一定的影响,个人研究兴趣对物理学院士的成长影响增强;可见中国物理学院士受社会时代背景、中国传统文化的影响一直存在,受国家发展战略需求的导向影响有所减弱,而受物理学学科前沿发展和物理学家个人研究兴趣的导向逐渐增强,进而得出中国物理学院士的社会分层总体符合科学“普遍主义”原则的结论。最后,在中国物理学院士的群体发展展望中,提出须优化中国物理学院士年龄结构和培养跨学科物理科技人才,辩证看待中国物理学院士空间结构的“集聚性”和师承效应,发挥中国物理学院士的研究优势弥补研究领域的不足,增加科研经费投入和完善科技奖励机制,不断加强国家对物理学的支持力度等建议,以促进中国物理学院士群体的良性发展和推动我国从物理学大国发展为物理学强国。
郭光冉[4]（2019）在《基于定位氧化掩膜诱导选择性刻蚀的单晶硅表面无损结构加工研究》文中研究说明单晶硅具有优良的机械、物理和化学性能,因此常常作为半导体微纳加工的重要材料,用来制造太阳能电池、大规模集成电路和半导体相关器件。目前,纳米加工技术得到了快速发展,已经出现了纳米压印技术、光刻技术和聚焦离子束技术等,广泛应用于生物医疗、航空航天和微机电系统。纳米技术在人们生产生活中的全方位渗透,催生出纳米技术的多样化,发展新的纳米加工技术势在必然。基于探针扫描的纳米加工技术,通过控制针尖移动的路径,可以在单晶硅表面加工出各种图案结构;其不仅具有快速、高效的优势,还可以实现定位加工。局部阳极氧化作为基于探针扫描纳米加工的重要应用之一;使用该方法,在单晶硅表面加工出定位掩膜,再结合后续的选择性刻蚀,可望实现无损微纳米结构的加工。本文运用原子力显微镜（AFM）系统考察了基于氧化掩膜诱导选择性刻蚀的纳米加工过程,研究了加工参数对单晶硅表面纳米结构形成的影响规律;利用导电原子力显微镜（CAFM）对加工的纳米结构进行导电性检测,并结合高分辨透射电子显微镜（HRTEM）进行断面观测,研究了纳米结构的损伤特性;最后在砷化镓表面进行无损加工,进一步探讨本方法的应用。本文的具体研究内容如下:（1）考察了加工参数对单晶硅表面氧化掩膜诱导选择性刻蚀的影响单晶硅表面自然氧化膜不利于其表面高质量阳极氧化掩膜的形成。据此,本文在加工实验前,利用氢氟酸（HF）溶液处理单晶硅表面,去除自然氧化膜,以保障加工前样品表面的一致性。分别考察了阳极氧化扫描速度、溶液选择性刻蚀时间等对所加工结构高度的影响,确定了最佳加工条件,即扫描速度为1.2-16μm/s、选择性刻蚀时间不大于8 min;在不同单晶硅表面上的对比实验表明,Si（100）表面最适合氧化掩膜诱导选择性刻蚀加工。（2）研究了所加工纳米结构的损伤情况利用导电原子力显微镜对所加工的纳米结构进行了导电性检测,其表面的导电性和硅基底无明显差别,可推知其内部无明显损伤;为了进一步考察损伤特性,借助HRTEM观测了所加工的纳米结构的断面,其晶格排布几乎完美。因此,利用氧化掩膜诱导选择性刻蚀的方法可以进行无损微纳米结构的加工。（3）基于氧化掩膜诱导选择性刻蚀方法的无损结构加工利用AFM的闭环加工,在HF溶液处理后的单晶硅表面通过定位氧化掩膜诱导选择性刻蚀方法,加工了一系列纳米结构图案。同时,采用类似的加工方法,在砷化镓表面进行探针局部阳极氧化-后续刻蚀（稀盐酸刻蚀）后,亦可加工出一系列沟槽结构;经过CAFM的损伤检测后发现,所加工的阵列结构也是无损伤的。基于氧化掩膜诱导选择性刻蚀的方法可以实现单晶硅和砷化镓表面的无损结构的加工,而且加工方法简单、灵活、成本低。本文研究了基于氧化掩膜诱导选择性刻蚀加工的规律,并采用导电原子力显微镜（CAFM）和高分辨透射电子显微镜（HRTEM）分析了所加工结构的损伤情况,相关研究有望进一步丰富基于探针扫描技术的纳米加工体系。
高鹏翼[5]（2018）在《中国薄膜太阳能光伏发电的现状及未来应用前景》文中研究指明截至2018年10月,在中国能够商用的薄膜太阳能光伏发电电池技术大体有4种,分别是:1.非晶硅（a-Si）基膜电池;2.铜铟镓硒（CIGS）膜电池;3.碲化镉（CdTe）膜电池;4.砷化镓（GaAs）膜电池。它们各有所长,也有其短。它们共同的优点是:1.薄膜太阳能电池形成可产生电压的薄膜厚度仅需数μm,可以使用价格低廉的玻璃、陶瓷、石墨、金属片、工程塑料等不同基板材料制造;2.薄膜太阳能电池具有可挠性能制作成非平面构造,扩大了其应用范围;3.薄膜太阳能电池与建筑物结合并成为建筑体的一部分使其应用更加广泛;4.成膜工艺的连贯性,使其全自动化生产成为可期的现实,又能大大降低组件成本。这些优点为未来光伏发电在中国的平价上网、平价应用提供了无限畅想。本文用一系列材料为依据,通过中国薄膜太阳能电池龙头企业的技术特点、产业化进程分析,通过全球薄膜太阳能电池的竞争态势,展现中国薄膜太阳能电池行业发展现状。通过对薄膜太阳能发电应用场景的分析,展现应用前景。希望得出中国薄膜太阳能光伏发电现状及未来应用前景的有益的结论。
张文[6]（2018）在《建成环境光伏应用研究》文中进行了进一步梳理能源短缺和环境污染是人类生存长期面临的两大严峻考验。利用太阳能电池进行光伏发电,逐步代替传统化石能源供应是解决这两项难题最直接有效的方法之一。建成环境是为满足人类活动需求而建设的人为环境,对其的光伏应用可以将能源生产与能源消费紧密结合,进一步发挥已开发土地潜能,节约集中式电站所占用土地,大幅度减少远程输电线损。同时,建成环境光伏应用还可以减少用电高峰期电力需求,并可将所发多余电力并入电网,进而提升区域经济水平,减少化石能源使用以及碳排放。因此,建成环境光伏应用的研究具有重要意义。本文通过文献资料收集,结合近20年更新发展的光伏应用技术,对国际能源署于1997年提出的建成环境光伏应用的概念,从建成环境光伏应用范围以及需要考虑的经济、社会、美学等相关影响方面进行完善,并界定了建成环境光伏应用范围和应用方式。进而,从光伏组件选型以及建成环境光伏应用方式两个层面对于建成环境光伏应用设计提出建议,还提出在建成环境光伏应用中需要充分考虑经济环境、美学环境以及社会环境影响。在国际能源署研究基础上,进一步完善了建成环境光伏应用设计形式标准建议,并提出建成环境光伏应用设计流程,并增加方案评估阶段,以推动建成环境光伏应用项目落成,降低公众对于光伏应用的消极态度。本文还对于现有建成环境光伏应用潜力测评方法进行了文献梳理,发现对于复杂环境下的非建筑类建成环境光伏应用技术潜力测评方法相对较少,所以本文也提出基于正射影像图与GIS相结合的区域停车场光伏应用潜力测评方法以及基于图像的三维点云重建与GIS相结合的建成环境光伏应用潜力测评方法。然后,结合文献研究,对现有建成环境光伏应用潜力测评方法进行分类归纳,并进行横向比较,总结出不同方法的适用范围。此外,本文对两种光伏潜力测评方法进行实例操作。采用正射影像图与GIS相结合的潜力测评方法对天津某大学内停车场光伏应用潜力进行了测评,采用基于图像的三维点云重建与GIS相结合的潜力测评方法对于新加坡某停车场以及一处建筑屋顶光伏应用潜力进行测评,验证了两种方法在实际操作中的可行性。然而,大面积建成环境光伏应用势必影响区域热环境。为了了解不同光伏组件对于局部热环境影响,本文以建筑屋顶为例进行局部区域温度场实验。首先对安装于建筑屋顶的不同光伏组件局部区域热环境温度场进行了比较,确认高效率且背面为高反射性材料的光伏组件在有安装间隙的情况下对减缓混凝土屋面局部区域热环境影响最为明显;然后,实验还对屋顶绿植,屋顶光伏应用以及无遮挡混凝土屋面的局部区域热环境温度场进行了实验比较测试,测试得出屋顶绿植对于减缓混凝土屋面区域热环境影响最为明显,其次为屋顶光伏应用;第三,实验对于不同材料光伏组件的上表面与下表面温度进行了对比,得出光伏组件正反表面温度差异主要与光伏组件背板材料相关,背面材料为高反射性材料时,日间上下表面温差约为1℃,夜间则基本相同;最后,实验还对光伏组件背面空气传热距离进行了统计,得出新加坡屋顶光伏组件下方传热距离约为6.2cm。本测试以屋顶为例进行了温度场相关实验,对于建成环境其他组成要素的热环境研究,该测试方法的原则和思路同样适用。综上所述,本文对于建成环境光伏应用从概念演进、设计方法与流程、潜力评估方法以及建成环境中屋顶光伏应用局部区域热环境影响等四个方面进行了论述,为未来建成环境生产性改造提供理论与技术支持。
王固华[7]（2018）在《半绝缘砷化镓抛光片生产中含砷废水的处理方案与效能研究》文中研究表明随着经济的快速发展,我国水污染事件呈现愈演愈烈的态势。特别是对于产生含有重金属离子废水的企业,一旦废水不能达标排放,就会对地表水体水质产生不可逆的不良影响。本文以某材料有限公司半绝缘砷化镓抛光片生产中产生的含砷废水为研究对象,在对现有含砷废水处理系统调查分析的基础上,对于含砷废水处理工艺进行了深入研究,以期待生产废水能够稳定达标排放。首先,对于对该企业生产工艺的分析,识别出产生生产废水的主要节点,发现含砷废水来源主要为有多晶清洗（W1）、单晶清洗（W2）、晶体加工（W3）、晶片导角（W4）、平面磨床和内圆锯废水（W5）、抛光清洗废水（W6）、酸雾洗涤废水（W7）,总产水量为17吨/小时。同时,对于企业现有生产废水处理工艺进行系统分析,进而辨识出现有处理工艺存在的问题。调查中发现由于切磨废水预沉池的处理效果很差,经常出现总砷浓度不能有效降至50mg/L的现象,导致进入到处理系统中总砷离子浓度超过系统要求的进水浓度,进而导致废水处理系统出水出现超标,超标倍数可达五倍。为使含砷生产废水可以正常达标排放,提出了两套升级改造方案,分别为方案一“多种药剂多次投加除砷+过滤器/反渗透系统除盐废水处理方案”和方案二“切磨废水预处理+现有污水处理系统改造废水处理方案”。通过比较,方案二在同样水量和混凝剂剂量的条件下,可以以更少的除砷剂得到更好的除砷效果,出水砷浓度达到0.04mg/L。此方案除砷效果优且产泥量少,可以有效利用现有设施,投资少,易于运行管理。通过工艺条件的探索实验,可以知道总砷初始浓度对于出水达标影响很大,初始废水中砷浓度越低,出水中砷浓度相应的就越低。切磨废水预处理是影响废水处理系统出水稳定达标的关键因素;除砷剂的分次投加效果优于一次性投加。工艺最佳反应时间为30min。考虑到重金属离子对地表水体具有持久性危害的特点,本章提出了基于现有处理系统增加“砷专用吸附处理装置”深度处理方案,以及在现有处理系统增加“MVR蒸发浓缩装置”的废水处理后回用全部方案。本工艺采用沉淀剂为403除砷剂,然后采用砷专用吸附装置继续去除水中的砷,废水砷浓度达到0.01 mg/L后进入污水深度处理回用系统,采用反渗透的方法处理,处理后出水进入纯水系统做为生产用水补充水,处理水全部回用,不外排。在经过后续的深度处理之后,出水中COD浓度为10mg/L,砷浓度几乎为零,总去除率>99.99%。通过对整个处理工艺的效益分析,本工艺可以达到经济、社会和环境三方面的和谐统一,对砷污染的源头控制做出一定贡献。
杨钟[8]（2018）在《我国化合物半导体产业发展战略研究》文中进行了进一步梳理21世纪以来,随着移动通讯和网络产业的蓬勃发展,现代社会人们的生活方式逐步加速向智能化和网络化转变。作为移动通讯和电子信息产业的核心载体——半导体芯片产业正在变成全球发展速度最快、对国家和地区经济发展贡献最多并深刻影响着人类社会进步的产业之一。作为半导体家族的一个重要组成部分和分支,化合物半导体产业近年来在5G通讯、物联网、新能源汽车等下游新兴产业的推动下正呈现着快速崛起的态势。化合物半导体产业的发展水平不仅深刻影响一个国家和地区的经济发展和技术革新,而且在国家信息安全方面也具有着重要的战略意义。本文以我国化合物半导体产业发展作为研究对象,运用产业战略管理相关理论对该产业的发展进行研究。通过产业生命周期理论、产业价值链和SWOT方法等战略管理方法,研究该产业的发展前景、价值分布、竞争格局、产业演化。以产品市场前景和产业价值分布作为切入点,首先通过对化合物半导体产业链上各环节的价值纵向分布,以及全球范围内空间布局研究;其次从产业周期演化的角度对产业进行动态研究;再次运用SWOT分析方法对产业内外部环境进行静态剖析,从而对我国该产业的发展进行全面和深入的研究。最后在基于上述战略管理理论研究的基础上提出我国化合物半导体产业升级的一些建议。通过介绍化合物半导体的产业现状以及价值链分析,本文认为化合物半导体是一个价值含量较高的产业。站在产业链纵向的角度看,其价值含量最高的环节是具有资金密集和技术密集型的上游外延和芯片环节;站在全球价值链空间分布的角度看,欧美国家从该产业获得价值最高。通过运用产业生命周期理论对化合物半导体的产业演化进行动态分析,本文认为目前的全球的化合物半导体产业发展处于产业生命周期演化的快速成长期。我国该产业发展仍处于萌芽期至成长期,距离国际产业发展水平有一定的差距,需要通过产业升级促进该产业尽快发展到快速成长期。结合SWOT方法分析了我国化合物半导体产业的内外部环境,找出我国该产业发展暂时落后的原因以及所面临的机遇和挑战。目前制约我国化合物半导体产业升级的重要因素有产业规模较小、专业人才缺乏和核心技术缺乏几个方面。针对我国化合物半导体产业升级的思路和策略,本文认为该产业急需成长到产业生命周期中的快速发展期,并且尽可能占据该产业价值链中价值含量最高的上游外延和芯片环节而非下游组装环节。可以通过企业研发、政府支持、资源整合等多个手段来实现这个目标。本文主要贡献在于:运用产业战略研究中产业生命周期理论结合价值链模型和SWOT分析方法对我国化合物半导体产业发展进行了深入细致的研究,并就产业升级提出了建设性的意见。抓住国际半导体产业转移和下游市场快速发展的机会,克服我国化合物半导体产业在规模、人才和核心技术上的不足,快速实现我国该产业的转型升级。
梁仁和[9]（2017）在《InP单晶装备及工艺热场技术研究》文中研究表明磷化铟（InP）是制备光电器件和微电子器件的重要半导体材料,在民用和国防军事领域应用广泛。随着InP材料需求的迅猛发展,InP晶体生长技术及设备也不断进步,大型化、国产化成为主要趋势,但在单晶炉设备国产化过程中存在一些问题,尤其是热场方面,现有热场保障与单晶炉通常由不同厂家提供,热场结构和材料在热稳定性、能耗等方面无法达到最佳效果,影响单晶制品的质量,制约单晶炉的使用效益。为了系统解决单晶炉及热场问题,课题基于磷蒸气注入原位合成技术及液封直拉InP单晶技术,研制了CZ-50型大尺寸In P高压单晶炉,并对热场进行了相关研究与设计,重点从材料和结构方面对热场进行了优化,并利用所拉制的单晶质量检测数据进行验证。1、基于磷蒸气注入原位合成技术及液封直拉InP单晶原理,开发出适于InP晶体生长特性的CZ-50型InP单晶炉。根据InP材料合成及单晶生长的特点,对单晶炉原位合成装置结构进行了创新性设计,在炉盖安装了一套可升降的热偶测温装置,实现了生产过程中坩埚内熔体温度的在线测量;利用观察窗遮挡装置及对观察窗进行加热的方法,解决了长期以来InP材料合成及单晶生长过程中由于磷挥发所导致的观察窗污染问题。该单晶炉是目前世界上最大的原位合成和晶体生长的InP单晶炉。2、针对传统石墨热场的不稳定、对称性差和能耗高等问题,利用碳碳（C/C）复合材料的优越性能对热场进行了优化。数值模拟和实验研究表明,利用C/C复合材料之后,晶体生长过程中的加热功率明显降低,固液界面温度梯度提高,热场对称性明显增加。3、应用C/C热场及CZ-50型单晶炉进行了一系列晶体生长与合成实验,对InP单晶炉的使用工艺条件进行了实验研究:包括磷注入合成阶段的温度控制、一二泡合成时熔体温度控制、磷泡加热功率的控制、以及磷泡插入深度控制,成功合成8KgInP多晶,制备了4英寸InP单晶,在合成尺寸、晶体品质等方面达到国际先进水平。4、通过测试常温Hall（表征半导体材料的一种测试方法,可以检测材料的电阻率,迁移率,载流子浓度等）、X射线摇摆曲线半高宽、位错密度（EPD）、数值模拟热应力等参数,对由CZ-50型InP单晶炉生长的晶体进行了性能分析,测试结果表明:非掺杂晶体的载流子浓度1-10×1015 cm-3,掺S晶体的载流子浓度1-10×1018 cm-3,掺Fe晶体的电阻率大于1×107Ω.cm,非掺杂晶体的迁移率大于4000 cm2/V.s,掺S晶体的迁移率大于1000 cm2/V.s,掺Fe晶体的迁移率大于1000 cm2/V.s;非掺杂晶体和掺Fe晶体的位错密度（EPD）小于1×105,掺S晶体的位错密度（EPD）位于5001×104之间,材料性能完全满足光电器件和微电子器件的使用要求[1]。
窦辉[10]（2016）在《YZ公司发展战略研究》文中研究指明企业战略管理是企业管理中最为重要的一个部分,它属于综合性的战略管理理论,是企业高层管理人员需要掌握的管理技能。随着市场竞争的日益激烈,企业的发展面临重重挑战,一个企业的发展不仅需要内部的协调平衡,还需要充满活力的外部环境。企业只有根据自身的实际情况和特点,再结合外部的宏观经济环境、产业政策等条件,制定出正确的产品管理策略,才能更好地适应外部环境,经得住复杂经济环境的挑战,才能保证发展有条不紊、充满活力。本文以YZ公司为研究对象,以YZ公司发展战略问题作为研究目的,通过论证和分析得出结论。论文对企业战略管理相关理论进行了简要介绍,并将这些理论应用于YZ公司的发展战略分析中,运用PEST分析和波特五力模型工具分析了 YZ公司所处的外部环境,包括了宏观经济、政策环境和行业环境,然后通过在YZ公司多年的工作经验以及与各部门核心人员的交流,深入地分析了 YZ公司内部环境因素,包括公司介绍、财务、人力、技术等,提出了公司内部的优势,探讨企业在发展战略制定上的切入点,结合SWOT分析法提出了 YZ公司面临的机遇与挑战。通过以上分析,确定YZ公司的愿景和使命、战略定位和各层次的战略目标等,建立适合于企业发展现状和能保持企业可持续发展的规划和策略,重点强化企业的战略管理,最后制定出YZ公司的发展战略和实施战略措施。
二、我国砷化镓单晶生长技术世界领先（论文开题报告）
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
本文主要提出一款精简64位RISC处理器存储管理单元结构并详细分析其设计过程。在该MMU结构中,TLB采用叁个分离的TLB,TLB采用基于内容查找的相联存储器并行查找,支持粗粒度为64KB和细粒度为4KB两种页面大小,采用多级分层页表结构映射地址空间,并详细论述了四级页表转换过程,TLB结构组织等。该MMU结构将作为该处理器存储系统实现的一个重要组成部分。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
三、我国砷化镓单晶生长技术世界领先（论文提纲范文）
（1）大直径砷化镓发展趋势及应用（论文提纲范文）
| 一、砷化镓技术发展现状 |
| 二、砷化镓产品市场规模发展预测 |
| (一)砷化镓元件市场规模发展 |
| (二)砷化镓衬底材料市场规模发展 |
| 三、砷化镓的应用规模 |
| (一)通讯微电子器件应用 |
| (二)光纤通信市场应用 |
| (三)汽车电子市场应用 |
| (四)卫星导航市场应用 |
| (五)军事应用市场应用 |
| 四、结语 |
（2）国内半导体产业的发展研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第1章 绪论 |
| 1.1 课题背景及意义 |
| 1.2 半导体概述 |
| 1.2.1 半导体概念及导电原理 |
| 1.2.2 半导体材料的特性 |
| 1.2.3 半导体材料产业划分 |
| 1.3 本课题的研究目的 |
| 第2章 半导体行业发展环境分析 |
| 2.1 政策环境分析 |
| 2.2 经济环境分析 |
| 2.3 技术环境分析 |
| 2.3.1 工业4.0推动半导体产业 |
| 2.3.2 第三代半导体材料进入快速发展阶段 |
| 2.4 本章小结 |
| 第3章 半导体材料的发展分析 |
| 3.1 第一代半导体材料 |
| 3.1.1 第一代半导体材料的特性及应用 |
| 3.1.2 第一代导体材料的制备技术 |
| 3.2 第二代半导体材料 |
| 3.2.1 第二代半导体材料的特性及应用 |
| 3.2.2 第二代半导体材料的制备技术 |
| 3.3 第三代半导体材料 |
| 3.3.1 第三代半导体材料的特性及应用 |
| 3.3.2 第三代半导体材料的制备技术 |
| 3.4 本章小结 |
| 第4章 国外半导体产业的发展现状分析 |
| 4.1 国外半导体产业的发展概况 |
| 4.1.1 美国 |
| 4.1.2 日本 |
| 4.1.3 欧洲各国 |
| 4.2 各代半导体材料产业的发展现状 |
| 4.2.1 第一代半导体材料 |
| 4.2.2 第二代半导体材料 |
| 4.2.3 第三代半导体材料 |
| 4.3 国外半导体产业的发展策略 |
| 4.3.1 美国 |
| 4.3.2 日本 |
| 4.4 本章小结 |
| 第5章 国内半导体产业的发展现状分析 |
| 5.1 我国半导体产业的发展概况 |
| 5.2 各代半导体材料产业的发展现状 |
| 5.2.1 第一代半导体材料 |
| 5.2.2 第二代半导体材料 |
| 5.2.3 第三代半导体材料 |
| 5.3 我国半导体产业发展中存在的问题 |
| 5.4 本章小结 |
| 结论 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
（3）中国物理学院士群体计量研究（论文提纲范文）
| 中文摘要 |
| ABSTRACT |
| 绪论 |
| 一、文献综述 |
| 二、论文选题和研究内容 |
| 三、研究的创新与不足 |
| 第一章 中国物理学院士的产生与本土化 |
| 1.1 民国时期中国物理学院士的产生 |
| 1.1.1 国民政府中央研究院推选产生中国第一届物理学院士 |
| 1.1.2 国立北平研究院推选出与“院士”资格相当的物理学会员 |
| 1.2 当代中国物理学院士的本土化 |
| 1.2.1 中国科学院推选产生物理学学部委员 |
| 1.2.2 中国科学院物理学院士与中国工程院物理学院士的发展 |
| 1.3 其他国家和国际组织的华裔物理学院士 |
| 1.4 中国物理学院士名单与增选趋势分析 |
| 1.4.1 中国物理学院士的名单汇总 |
| 1.4.2 中国本土物理学院士总体增选趋势 |
| 第二章 中国物理学院士总体特征的计量分析 |
| 2.1 中国物理学院士基本情况的计量分析 |
| 2.1.1 女性物理学院士占比较低 |
| 2.1.2 院士整体老龄化问题严重 |
| 2.1.3 出生地域集中于东南沿海地区 |
| 2.2 中国物理学院士教育经历的计量分析 |
| 2.2.1 学士学位结构 |
| 2.2.2 硕士学位结构 |
| 2.2.3 博士学位结构 |
| 2.3 中国物理学院士归国工作情况的计量分析 |
| 2.3.1 留学物理学院士的归国年代趋势 |
| 2.3.2 国内工作单位的“集聚性”较强 |
| 2.3.3 物理学院士的国外工作单位 |
| 2.4 中国物理学院士从事物理学分支交叉学科的计量分析 |
| 2.4.1 物理学院士从事分支交叉学科的归类统计 |
| 2.4.2 物理学院士获得国际科技奖励的计量分析 |
| 2.4.3 物理学院士获得国内科技奖励的计量分析 |
| 第三章 中国理论物理学院士群体的计量分析 |
| 3.1 中国理论物理学院士基本情况的计量分析 |
| 3.1.1 存在老龄化问题,当选年龄集中于“51-60 岁” |
| 3.1.2 博士占比52.83%,地方高校理论物理教育水平有所提高 |
| 3.2 中国理论物理学院士研究领域的计量分析 |
| 3.2.1 主要分布于凝聚态理论和纯理论物理等领域 |
| 3.2.2 20 世纪后半叶当选的理论物理学院士内师承关系显着 |
| 3.3 中国理论物理学院士的发展趋势分析 |
| 3.3.1 理论物理学院士的增选总体呈上升趋势 |
| 3.3.2 理论物理学院士研究领域的发展趋势 |
| 3.4 小结 |
| 第四章 中国凝聚态物理学院士群体的计量分析 |
| 4.1 中国凝聚态物理学院士基本情况的计量分析 |
| 4.1.1 存在老龄化问题,当选年龄集中于“51—60 岁” |
| 4.1.2 博士占比57.83%,国外博士学位占比将近80% |
| 4.1.3 女性物理学院士在凝聚态物理领域崭露头角 |
| 4.2 中国凝聚态物理学院士研究领域的计量分析 |
| 4.2.1 主要分布于半导体物理学、晶体学和超导物理学等领域 |
| 4.2.2 凝聚态物理学的一些传统研究领域内师承关系显着 |
| 4.2.3 凝聚态物理学院士集聚于若干研究中心 |
| 4.3 中国凝聚态物理学院士的发展趋势分析 |
| 4.3.1 凝聚态物理学院士的增选总体呈上升趋势 |
| 4.3.2 凝聚态物理学院士研究领域的发展趋势 |
| 4.4 小结 |
| 第五章 中国光学院士群体的计量分析 |
| 5.1 中国光学院士基本情况的计量分析 |
| 5.1.1 存在老龄化问题,当选年龄集中于“61—70 岁” |
| 5.1.2 博士占比54.84%,本土培养的光学博士逐渐增多 |
| 5.2 中国光学院士研究领域的计量分析 |
| 5.2.1 研究领域集中分布于应用物理学和激光物理学 |
| 5.2.2 光学院士工作单位的“集聚性”较强 |
| 5.3 光学院士的发展趋势分析 |
| 5.3.1 光学院士的增选总体呈上升趋势 |
| 5.3.2 光学院士研究领域的发展趋势 |
| 5.4 小结 |
| 第六章 中国高能物理学院士群体的计量分析 |
| 6.1 中国高能物理学院士基本情况的计量分析 |
| 6.1.1 老龄化问题严重,当选年龄集中于“51—60 岁” |
| 6.1.2 博士占比53.85%,国外博士学位占比超过85% |
| 6.2 中国高能物理学院士研究领域的计量分析 |
| 6.2.1 高能物理实验与基本粒子物理学分布较均衡 |
| 6.2.2 高能物理学院士的工作单位集聚性与分散性并存 |
| 6.3 中国高能物理学院士的发展趋势分析 |
| 6.3.1 高能物理学院士的增选总体呈平稳趋势 |
| 6.3.2 高能物理学院士研究领域的发展趋势 |
| 6.4 小结 |
| 第七章 中国原子核物理学院士群体的计量分析 |
| 7.1 中国原子核物理学学院士基本情况的计量分析 |
| 7.1.1 老龄化问题严重,80 岁以下院士仅有3 人 |
| 7.1.2 博士占比48.84%,国外博士学位占比超过95% |
| 7.1.3 女性院士在原子核物理学领域的杰出贡献 |
| 7.2 中国原子核物理学院士研究领域的计量分析 |
| 7.2.1 原子核物理学院士在各研究领域的分布情况 |
| 7.2.2 参与“两弹”研制的院士内部师承关系显着 |
| 7.3 中国原子核物理学院士的发展趋势分析 |
| 7.3.1 原子核物理学院士的增选总体呈下降趋势 |
| 7.3.2 原子核物理学院士研究领域的发展趋势 |
| 7.4 小结 |
| 第八章 其他物理学分支和部分交叉学科院士群体的计量分析 |
| 8.1 中国天体物理学院士群体的计量分析 |
| 8.1.1 天体物理学院士本土培养特征明显 |
| 8.1.2 天体物理学院士的增选总体呈平稳上升趋势 |
| 8.1.3 天体物理学院士研究领域的发展趋势 |
| 8.2 中国生物物理学院士群体的计量分析 |
| 8.2.1 群体年龄较小,当选年龄集中于“41—50 岁” |
| 8.2.2 生物物理学院士研究领域的发展趋势 |
| 8.3 中国工程热物理院士群体的计量分析 |
| 8.3.1 工程热物理院士内部师承关系十分显着 |
| 8.3.2 工程热物理院士研究领域的发展趋势 |
| 8.4 中国地球物理学院士群体的计量分析 |
| 8.4.1 主要分布于固体地球物理学和空间物理学研究领域 |
| 8.4.2 地球物理学院士研究领域的发展趋势 |
| 8.5 部分分支交叉学科院士群体的计量分析 |
| 8.5.1 电子物理学和声学院士的增选呈下降趋势 |
| 8.5.2 中国物理力学由应用走向理论 |
| 8.5.3 中国量子信息科技呈迅速崛起之势 |
| 第九章 中国物理学院士计量分析的比较研究和趋势分析 |
| 9.1 各分支交叉学科间物理学院士基本情况的比较研究 |
| 9.1.1 一些新兴研究领域物理学院士年轻化趋势明显 |
| 9.1.2 21世纪以来本土培养的物理学院士占比一半以上 |
| 9.1.3 女性物理学院士在实验物理领域分布较多 |
| 9.2 中国物理学院士研究领域的发展趋势分析 |
| 9.2.1 各分支交叉学科内的横向发展趋势分析 |
| 9.2.2 各分支交叉学科的纵向年代发展趋势分析 |
| 9.3 中国物理学院士代际演化的趋势分析 |
| 9.3.1 第一代物理学院士初步完成了中国物理学的建制 |
| 9.3.2 第二代物理学院士完成了中国物理学主要分支学科的奠基 |
| 9.3.3 第三代物理学院士在国防科技和物理学科拓展中有着突出贡献 |
| 9.3.4 第四代物理学院士在推进物理学深入发展方面贡献较大 |
| 9.3.5 新一代物理学院士科技成果的国际影响力显着增强 |
| 第十章 中国物理学院士的群体结构特征和发展趋势特征 |
| 10.1 中国物理学院士的群体结构特征 |
| 10.1.1 整体老龄化问题严重,但年轻化趋向较为明显 |
| 10.1.2 整体学历水平较高,本土培养物理学精英的能力增强 |
| 10.1.3 女性物理学院士占比较低,但科技贡献突出 |
| 10.1.4 空间结构“集聚性”较强,但近些年“集聚性”逐渐被打破 |
| 10.2 中国物理学院士研究领域发展的趋势特征 |
| 10.2.1 物理学科中交叉性较强的研究领域具有极大的发展潜力 |
| 10.2.2 物理学科中应用性较强的研究领域产业化趋势明显 |
| 10.2.3 当代物理学的发展与科研实验设施的关系越发紧密 |
| 10.3 中国物理学院士代际演化的趋势特征 |
| 10.3.1 新中国成立初期国家需求导向下的相关物理学科迅猛发展 |
| 10.3.2 20世纪80 年代以来院士研究兴趣与国家支持政策相得益彰 |
| 10.3.3 21世纪以来院士个体对学科发展的主导作用越来越大 |
| 第十一章 中国物理学院士群体的成长路径 |
| 11.1 影响中国物理学院士成长的宏观要素 |
| 11.1.1 社会时代发展大背景的影响一直存在 |
| 11.1.2 国家发展战略需求导向要素有所减弱 |
| 11.1.3 国家科技管理制度的要素影响有所增强 |
| 11.1.4 中国传统文化对物理学院士潜移默化的影响 |
| 11.2 影响中国物理学院士成长的中观要素 |
| 11.2.1 物理学学科前沿发展需求的导向要素显着增强 |
| 11.2.2 空间结构“集聚性”的影响逐渐在减弱 |
| 11.2.3 师承关系的影响主要体现于学科延承方面 |
| 11.3 影响中国物理学院士成长的微观要素 |
| 11.3.1 性别差异对物理学家社会分层的影响很弱 |
| 11.3.2 年龄要素对物理学院士成长具有一定的影响 |
| 11.3.3 个人研究兴趣对物理学院士的成长影响增强 |
| 11.4 结语与展望 |
| 附录 |
| 参考文献 |
| 攻读学位期间取得的研究成果 |
| 致谢 |
| 个人简况及联系方式 |
（4）基于定位氧化掩膜诱导选择性刻蚀的单晶硅表面无损结构加工研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| abstract |
| 第1章 绪论 |
| 1.1 引言 |
| 1.2 常见的纳米加工方法及其发展趋势 |
| 1.2.1 光刻技术 |
| 1.2.2 聚焦离子束加工 |
| 1.2.3 纳米压印技术 |
| 1.2.4 激光直写技术 |
| 1.3 基于探针扫描的纳米加工技术 |
| 1.3.1 不同的探针扫描纳米加工技术 |
| 1.3.2 探针扫描技术在微纳加工中的优势 |
| 1.4 选题意义及研究内容 |
| 1.4.1 选题意义 |
| 1.4.2 课题的研究内容 |
| 第2章 实验材料和方法 |
| 2.1 实验材料 |
| 2.2 实验设备 |
| 2.3 实验方法 |
| 2.3.1 基于AFM针尖阳极氧化后续刻蚀加工 |
| 2.3.2 导电原子力显微镜的损伤检测 |
| 2.4 高分辨透射电子显微镜及其结构表征 |
| 第3章 不同加工参数对氧化掩膜诱导选择性刻蚀的影响 |
| 3.1 原始氧化层对氧化掩膜诱导选择性刻蚀的影响 |
| 3.2 阳极氧化时间对氧化掩膜诱导选择性刻蚀的影响 |
| 3.2.1 阳极氧化时间对加工点状结构刻蚀的影响 |
| 3.2.2 阳极氧化扫描速度对加工线状结构刻蚀的影响 |
| 3.2.3 阳极氧化扫描速度对加工面状结构刻蚀的影响 |
| 3.3 晶面取向对氧化掩膜诱导选择性刻蚀的影响 |
| 3.4 本章小结 |
| 第4章 氧化掩膜诱导选择性刻蚀加工纳米结构的损伤检测 |
| 4.1 接触压力分析 |
| 4.2 氧化掩膜诱导选择性刻蚀加工结构的导电性检测 |
| 4.3 氧化掩膜诱导选择性刻蚀加工结构的HRTEM分析 |
| 4.4 不同选择性刻蚀方法的对比 |
| 4.5 本章小结 |
| 第5章 基于氧化掩膜诱导选择性刻蚀方法的无损结构加工初探 |
| 5.1 单晶硅表面无损加工 |
| 5.2 砷化镓表面无损加工 |
| 5.3 本章小结 |
| 结论与展望 |
| 1.结论 |
| 2.研究展望 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文及科研成果 |
（6）建成环境光伏应用研究（论文提纲范文）
| 中文摘要 |
| abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 研究背景 |
| 1.1.1 世界能源形势 |
| 1.1.2 太阳能光伏技术 |
| 1.1.3 光伏政策 |
| 1.2 研究现状 |
| 1.2.1 建成环境光伏应用发展研究 |
| 1.2.2 建成环境光伏应用潜力测评方法研究 |
| 1.2.3 光伏应用热环境影响研究 |
| 1.3 研究内容 |
| 1.4 研究方法 |
| 1.5 技术路线 |
| 1.6 本文创新点 |
| 第二章 建成环境光伏应用概念演进 |
| 2.1 建成环境概念学理界定 |
| 2.1.1 城市环境 |
| 2.1.2 建成环境 |
| 2.2 建成环境光伏应用方式研究现状 |
| 2.2.1 建筑 |
| 2.2.2 道路 |
| 2.2.3 景观 |
| 2.2.4 其他基础设施 |
| 2.3 建成环境光伏应用概念 |
| 2.3.1 概念界定 |
| 2.3.2 建成环境光伏应用范围与影响 |
| 第三章 建成环境光伏应用设计方法研究 |
| 3.1 建成环境光伏应用材料选择 |
| 3.1.1 晶体硅太阳电池 |
| 3.1.2 硅基薄膜太阳电池 |
| 3.1.3 三-五族化合物半导体太阳电池 |
| 3.1.4 化合物薄膜太阳电池 |
| 3.1.5 有机和特种薄膜太阳电池 |
| 3.1.6 聚光和特种太阳能电池 |
| 3.1.7 高效率光伏发电技术 |
| 3.2 建成环境光伏应用方式选择 |
| 3.2.1 建筑光伏应用方式 |
| 3.2.2 道路光伏应用方式 |
| 3.2.3 景观光伏应用方式 |
| 3.2.4 其他基础设施光伏应用方式 |
| 3.3 建成环境光伏应用设计方法与流程 |
| 3.3.1 建成环境光伏应用设计选择建议 |
| 3.3.2 建成环境光伏应用组件设计选择 |
| 3.3.3 建成环境光伏应用方式设计选择 |
| 3.3.4 建成环境光伏应用方案评估 |
| 3.3.5 建成环境光伏应用设计流程 |
| 第四章 建成环境光伏应用潜力测评方法研究 |
| 4.1 建成环境光伏应用潜力测评软件选择与精度分析 |
| 4.1.1 建成环境光伏应用潜力测评软件选择 |
| 4.1.2 PVSYST软件精度测试 |
| 4.2 一种基于正摄影像图与GIS的建成环境光伏应用潜力测评方法 |
| 4.2.1 基于正射影像图与GIS空间光伏停车场潜力测评方法流程 |
| 4.2.2 以天津某大学为例的光伏停车系统潜力研究 |
| 4.2.3 基于正射影像图与GIS的建成环境区域停车场光伏应用潜力测评方法的优势 |
| 4.2.4 小结 |
| 4.3 一种基于图像三维点云重建与GIS的建成环境光伏应用潜力测评方法 |
| 4.3.1 建成环境光伏应用约束条件 |
| 4.3.2 基于图像三维点云重建与GIS相结合的建成环境光伏潜力测评方法流程 |
| 4.3.3 方法案例研究与分析 |
| 4.3.4 小结 |
| 4.4 不同建成环境光伏应用潜力测评方法比较 |
| 第五章 建成环境屋顶光伏应用局部区域热环境影响实验测试 |
| 5.1 实验目标以及实验对象 |
| 5.2 搭建实验平台 |
| 5.2.1 实验平台设计 |
| 5.2.2 测试仪器选择 |
| 5.2.3 测试探头布置 |
| 5.2.4 测试仪器检验 |
| 5.2.5 测试安排 |
| 5.3 实验数据分析 |
| 5.3.1 光伏组件开路与有回路工况下温度比较 |
| 5.3.2 混凝土屋面、屋顶绿植以及屋顶光伏应用局部区域热环境温度场数据比较 |
| 5.3.3 不同材料光伏组件正面与反面温度比较 |
| 5.3.4 不同材料光伏组件屋顶光伏应用对于屋面温度影响比较 |
| 5.3.5 光伏组件对空气传热分析 |
| 5.3.6 测试结论 |
| 5.4 小结 |
| 第六章 结论与展望 |
| 6.1 主要结论 |
| 6.2 存在的不足与展望 |
| 参考文献 |
| 发表论文和科研情况说明 |
| 致谢 |
（7）半绝缘砷化镓抛光片生产中含砷废水的处理方案与效能研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第1章 绪论 |
| 1.1 课题研究背景 |
| 1.2 砷的性质与危害 |
| 1.2.1 砷的性质 |
| 1.2.2 砷的危害 |
| 1.2.3 砷的排放标准 |
| 1.3 含砷废水处理的研究现状 |
| 1.3.1 化学沉淀法 |
| 1.3.2 物化法 |
| 1.3.3 微生物法 |
| 1.3.4 研究现状综述 |
| 1.4 研究的目的和意义 |
| 1.5 研究内容与技术路线 |
| 1.5.1 研究内容 |
| 1.5.2 技术路线 |
| 第2章 实验材料与方法 |
| 2.1 引言 |
| 2.2 实验原料 |
| 2.2.1 实验试剂 |
| 2.2.2 实验用水 |
| 2.2.3 实验仪器 |
| 2.3 实验方法 |
| 2.3.1 含砷废水的双氧水预处理 |
| 2.3.2 不同含砷量废水的除砷 |
| 2.3.3 除砷加药量的确定 |
| 2.3.4 除砷反应时间的确定 |
| 2.3.5 除砷pH的确定 |
| 2.4 分析与计算方法 |
| 第3章 含砷废水现有处理工艺调查与分析 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 公司生产概况 |
| 3.3 现有生产工艺调查与含砷废水来源 |
| 3.3.1 现有生产工艺 |
| 3.3.2 含砷废水来源与排污分析 |
| 3.4 原有废水处理工艺及其存在的问题 |
| 3.4.1 原有废水处理工艺流程 |
| 3.4.2 进水水质 |
| 3.4.3 原有废水处理工艺存在的问题 |
| 3.5 本章小结 |
| 第4章 含砷废水升级处理方案的研究 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 含砷废水处理工艺方案的筛选 |
| 4.2.1 方案一简介 |
| 4.2.2 方案二简介 |
| 4.3 含砷废水处理工艺方案的比较 |
| 4.3.1 处理效能 |
| 4.3.2 技术经济分析 |
| 4.3.3 运行稳定性 |
| 4.4 最佳工艺条件的研究实验 |
| 4.4.1 双氧水预处理对砷的去除率的影响 |
| 4.4.2 不同含砷量对砷的去除率的影响 |
| 4.4.3 不同加药量对砷的去除率的影响 |
| 4.4.4 不同反应时间对砷的去除率的影响 |
| 4.4.5 pH对含硅胶的高浓度砷的去除率的影响 |
| 4.5 本章小结 |
| 第5章 基于升级处理方案比较的含砷废水工艺深化设计 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 废水水质 |
| 5.2.1 废水水质及水量 |
| 5.2.2 设计出水水质 |
| 5.3 深度处理方案设计 |
| 5.4 深度处理工艺设计 |
| 5.4.1 预处理工艺 |
| 5.4.2 深度处理工艺 |
| 5.5 工艺处理效能分析 |
| 5.5.1 工艺处理效能 |
| 5.5.2 废渣浓液去向 |
| 5.6 可行性分析 |
| 5.6.1 经济可行性分析 |
| 5.6.2 社会效益分析 |
| 5.6.3 环境效益分析 |
| 5.6.4 工程可行性分析 |
| 5.7 本章小结 |
| 结论 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 个人简历 |
（8）我国化合物半导体产业发展战略研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| abstract |
| 1 绪论 |
| 1.1 研究背景与研究意义 |
| 1.1.1 研究背景 |
| 1.1.2 研究意义 |
| 1.2 研究思路与研究方法 |
| 1.2.1 研究思路 |
| 1.2.2 研究框架 |
| 1.2.3 研究方法 |
| 本章小结 |
| 2 文献综述 |
| 2.1 模型介绍 |
| 2.1.1 全球价值链 |
| 2.1.2 SWOT分析 |
| 2.1.3 产业生命周期 |
| 2.2 国内外文献综述 |
| 2.2.1 境外文献综述 |
| 2.2.2 国内文献综述 |
| 本章小结 |
| 3 化合物半导体产业现状 |
| 3.1 化合物半导体的定义 |
| 3.2 化合物半导体相对于传统半导体优势 |
| 3.3 化合物半导体市场前景 |
| 3.4 全球化合物半导体产业生命周期分析 |
| 3.4.1 半导体产业周期 |
| 3.4.1.1 摩尔定律 |
| 3.4.1.2 半导体发展周期 |
| 3.4.2 化合物半导体产业生命周期特征 |
| 3.4.2.1 增长率分析 |
| 3.4.2.2 产品种类分析 |
| 3.4.2.3 市场占有率分析 |
| 3.4.2.4 厂商数量分析 |
| 3.4.3 全球化合物半导体产业生命周期总结 |
| 本章小结 |
| 4 我国化合物半导体产业战略环境分析 |
| 4.1 化合物半导体产业价值链分析 |
| 4.1.1 化合物半导体产业价值链垂直分析 |
| 4.1.2 化合物半导体产业价值链区域分析 |
| 4.1.3 化合物半导体产业价值链总结 |
| 4.2 我国化合物半导体生命周期分析 |
| 4.2.1 我国化合物半导体产业从业公司 |
| 4.2.2 我国化合物半导体产业生命周期驱动因素 |
| 4.2.3 我国化合物半导体产业生命周期总结 |
| 4.3 我国化合物半导体产业发展SWOT分析 |
| 4.3.1 我国化合物半导体产业发展优势 |
| 4.3.2 我国化合物半导体产业发展劣势 |
| 4.3.3 我国化合物半导体产业发展机遇 |
| 4.3.4 我国化合物半导体产业发展威胁 |
| 4.3.5 我国化合物半导体产业SWOT策略分析与选择 |
| 本章小结 |
| 5 我国化合物半导体产业升级战略 |
| 5.1 产业升级思路 |
| 5.1.1 化合物半导体的产业升级方向 |
| 5.1.2 化合物半导体的产业升级路径 |
| 5.2 产业升级策略 |
| 5.2.1 加大政府扶持力度 |
| 5.2.2 加大企业研发投入 |
| 5.2.3 合理整合产业资源 |
| 5.3 主要结论与建议 |
| 5.4 本文创新与不足之处 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
（9）InP单晶装备及工艺热场技术研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| abstract |
| 研究报告 |
| 第一章 InP单晶制备及工艺热场对单晶生长的影响 |
| 1.1 InP材料及生长技术 |
| 1.1.1 InP材料及其应用 |
| 1.1.2 InP材料制备 |
| 1.2 单晶炉工艺热场 |
| 1.2.3 热场 |
| 1.2.4 热场对晶体生长的影响 |
| 1.2.5 决定热场的因素 |
| 1.2.6 晶体生长过程面临的热场问题 |
| 1.3 课题的主要研究工作 |
| 第二章 单晶炉热场设计理论 |
| 2.1 热场温度梯度与晶体生长 |
| 2.2 晶体物态变化时的温度变化 |
| 2.2.1 晶体熔化与结晶状态 |
| 2.2.2 晶体的结晶热力学与动力学过程 |
| 2.2.3 生长界面稳定性与热场的关系 |
| 2.3 晶体生长方向与热场的关系 |
| 2.4 晶体生长的热场配置及设计 |
| 2.4.1 热场配置 |
| 2.4.2 单晶炉热场设计 |
| 2.5 小结 |
| 第三章 Cz-50型InP高压单晶炉设计 |
| 3.1 Cz-50型InP单晶炉的整体结构 |
| 3.2 原位合成结构 |
| 3.2.1 总体设计方案 |
| 3.2.2 磷泡升降机构 |
| 3.2.3 热偶升降机构 |
| 3.2.4 观察窗防污染装置 |
| 3.3 单晶炉传动机构 |
| 3.4 真空、充气放气系统 |
| 3.5 水冷系统 |
| 3.6 电气控制系统 |
| 3.6.5 PLC |
| 3.6.6 人机界面(触摸屏) |
| 3.6.7 电气控制系统的特点 |
| 3.7 小结 |
| 第四章 InP高压单晶炉热场设计 |
| 4.1 石墨热场应用于InP单晶炉的数值模拟 |
| 4.1.1 数值模拟 |
| 4.1.2 InP材料的物理参数 |
| 4.1.3 模拟过程 |
| 4.1.4 模拟结果分析 |
| 4.2 石墨热场应用于InP单晶炉晶体生长 |
| 4.3 碳碳(C/C)复合材料 |
| 4.3.1 C/C复合材料的特性及应用 |
| 4.3.2 C/C复合材料热场 |
| 4.3.3 C/C热场材料技术指标 |
| 4.4 InP单晶炉C/C热场结构设计 |
| 4.4.1 C/C热场结构设计路线 |
| 4.4.2 C/C热场部件性能试验路线 |
| 技术成果 |
| 4.5 应用C/C热场的模拟及晶体生长 |
| 4.6 小结 |
| 第五章 应用C/C热场的InP单晶炉实验研究 |
| 5.1 磷注入合成工艺控制 |
| 5.1.1 磷注入合成温度控制 |
| 5.1.2 一、二泡合成时熔体温度选择 |
| 5.1.3 磷泡加热功率控制 |
| 5.1.4 磷泡插入深度 |
| 5.2 晶体等直径生长工艺控制 |
| 5.2.1 放肩与等径时的晶位 |
| 5.2.2 埚升时的埚位 |
| 5.2.3 收尾 |
| 5.3 引晶及放肩时的数值模拟分析 |
| 5.4 C/C热场InP单晶炉多晶实验及单晶生长 |
| 5.5 小结 |
| 第六章 C/C工艺热场下单晶的质量检测及缺陷形成分析 |
| 6.1 晶体的物理参数 |
| 6.2 XRD摇摆曲线半高宽 |
| 6.3 位错分析 |
| 6.3.1 位错坑形貌 |
| 6.3.2 不同热场条件下的位错分布 |
| 6.3.3 位错与应力的关系及热场优化效果 |
| 6.4 直径变化对位错及应力的影响 |
| 6.5 InP晶体内部位错分布的各向异性 |
| 6.6 熔体的配比度对位错的影响 |
| 6.7 气孔控制 |
| 6.8 孪晶控制 |
| 6.8.1 孪晶产生机理及减少孪晶的技术 |
| 6.8.2 孪晶的影响因素 |
| 6.8.3 抑制孪晶的方法 |
| 6.9 小结 |
| 第七章 全文总结 |
| 综述 |
| 第八章 InP单晶装备及技术发展 |
| 8.1 晶体生长方法及Cz单晶炉的发展现状 |
| 8.1.1 晶体生长方法 |
| 8.1.2 Cz单晶技术 |
| 8.1.3 高压单晶炉 |
| 8.1.4 LEC晶体生长过程的直径自动控制 |
| 8.1.5 数值模拟与晶体生长 |
| 8.2 InP生长技术 |
| 8.2.1 InP单晶制备方法 |
| 8.2.2 InP单晶生长技术 |
| 市场分析报告 |
| 第九章 磷化铟单晶材料及装备市场分析 |
| 9.1 磷化铟行业发展现状 |
| 9.1.1 全球磷化铟行业发展现状 |
| 9.1.2 我国磷化铟材料的发展现状 |
| 9.1.3 我国磷化铟材料装备现状 |
| 9.1.4 我国磷化铟材料装备发展方向 |
| 9.2 磷化铟行业市场分析 |
| 9.2.1 中国磷化铟行业市场供需分析 |
| 9.2.2 中国磷化铟行业价格分析 |
| 9.3 中国磷化铟产业链重点企业 |
| 9.4 磷化铟行业发展前景 |
| 9.4.1 中国磷化铟行业市场预测 |
| 9.4.2 中国磷化铟行业技术发展方向 |
| 9.5 结论 |
| 参考文献 |
| 发表论文和参加科研情况 |
| 致谢 |
（10）YZ公司发展战略研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 1 绪论 |
| 1.1 选题背景分析 |
| 1.2 研究目的及意义 |
| 1.3 研究的方法 |
| 1.4 研究的内容 |
| 1.5 研究的思路 |
| 2 相关理论 |
| 2.1 战略 |
| 2.2 战略管理 |
| 2.3 战略管理的层次 |
| 2.4 战略管理分析工具与方法 |
| 2.4.1 PEST分析 |
| 2.4.2 波特五力分析 |
| 2.4.3 SWOT分析 |
| 2.4.4 4P营销战略分析 |
| 3 YZ公司经营环境分析 |
| 3.1 公司简介 |
| 3.2 宏观环境分析 |
| 3.2.1 政策环境 |
| 3.2.2 经济环境 |
| 3.2.3 社会文化环境 |
| 3.2.4 技术环境 |
| 3.3 行业环境分析 |
| 3.3.1 行业发展趋势 |
| 3.3.2 竞争环境分析(波特五力分析法) |
| 3.4 YZ公司内部环境分析 |
| 3.4.1 人力资源分析 |
| 3.4.2 技术分析 |
| 3.4.3 财务状况分析 |
| 3.4.4 经营管理分析 |
| 3.5 YZ公司发展的SWOT分析 |
| 3.5.1 SO组合战略评价 |
| 3.5.2 WO组合战略评价 |
| 3.5.3 ST组合战略评价 |
| 3.5.4 WT组合战略评价 |
| 4 公司发展战略制定 |
| 4.1 公司的愿景和使命 |
| 4.2 公司的战略定位和战略目标 |
| 4.2.1 YZ公司的战略定位 |
| 4.2.2 YZ公司的战略目标 |
| 4.3 公司业务战略 |
| 4.3.1 产品战略 |
| 4.3.2 业务拓展战略 |
| 4.3.3 资源战略 |
| 4.3.4 生产工艺优化战略 |
| 4.4 YZ公司职能战略 |
| 4.4.1 人力资源战略 |
| 4.4.2 财务战略 |
| 4.4.3 营销战略 |
| 4.4.4 技术战略 |
| 4.4.5 竞争战略 |
| 5 YZ公司战略保障措施 |
| 5.1 完善公司的管理体制和机制 |
| 5.2 完善激励制度 |
| 5.3 企业文化建设 |
| 5.4 信息化建设 |
| 6 结语 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
四、我国砷化镓单晶生长技术世界领先（论文参考文献）
- [1]大直径砷化镓发展趋势及应用[J]. 周铁军,廖彬,王金灵. 科技风, 2020(31)
- [2]国内半导体产业的发展研究[D]. 赵东华. 北京工业大学, 2019(07)
- [3]中国物理学院士群体计量研究[D]. 刘欣. 山西大学, 2019(01)
- [4]基于定位氧化掩膜诱导选择性刻蚀的单晶硅表面无损结构加工研究[D]. 郭光冉. 西南交通大学, 2019(04)
- [5]中国薄膜太阳能光伏发电的现状及未来应用前景[A]. 高鹏翼. 国际清洁能源产业发展报告（2018）, 2018
- [6]建成环境光伏应用研究[D]. 张文. 天津大学, 2018(06)
- [7]半绝缘砷化镓抛光片生产中含砷废水的处理方案与效能研究[D]. 王固华. 哈尔滨工业大学, 2018(02)
- [8]我国化合物半导体产业发展战略研究[D]. 杨钟. 西南财经大学, 2018(01)
- [9]InP单晶装备及工艺热场技术研究[D]. 梁仁和. 天津大学, 2017(08)
- [10]YZ公司发展战略研究[D]. 窦辉. 云南大学, 2016(01)